氮化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料中,量子阱、量子線、量子點(diǎn)等二維、一維以BAV170-NXP及零維材料的電子能帶結(jié)構(gòu)與三維體材料的電子能帶結(jié)構(gòu)有著本質(zhì)的差異,因此存在著光電性質(zhì)的差別。首先,由于量子限制效應(yīng),低維結(jié)構(gòu)的導(dǎo)帶以及價(jià)帶中會(huì)形成一系列的子帶及分立能級(jí)。在InGaN/GaN量子阱中,InGaN層為阱層,GaN為壘層,電子和空穴在InGaN阱中產(chǎn)生量子限制效應(yīng),即電子態(tài)在垂直于阱層的方向發(fā)生量子化,在導(dǎo)帶與價(jià)帶中形成分立能級(jí)。從導(dǎo)帶底或價(jià)帶頂算起的量子化能級(jí)通�？捎糜行з|(zhì)量近似的方法算得。在無限深阱的近似下,量子化的能量為。圖⒈26中各量子化能級(jí)分別用量子數(shù)刀=1,2,3・¨標(biāo)示。這樣,一般意義上的帶間躍迂主要是導(dǎo)帶子帶與價(jià)帶子帶之間的躍遷。這些光學(xué)躍遷會(huì)遵循躍迂的選擇定則,除了通常的能量守恒及動(dòng)量守恒外,量子阱中的帶間躍遷的選擇定則為Δ刀=0�？偟膩碚f,量子線、量子點(diǎn)材料的帶間躍遷除了取決于低維材料的維度外,與低維結(jié)構(gòu)具體的尺寸、形貌等很多因素有關(guān)。