si/s⒑2界面處的界面態(tài)。界面態(tài)是CAP002DG指存在于si/so2界面處而能級(jí)位于硅禁帶中的一些分立的或連續(xù)的電子能態(tài)(能級(jí))。界面態(tài)一般分為施主和受主兩種�？梢允菐щ姷�,也可以是中性的,依賴(lài)于它與費(fèi)米能級(jí)的相對(duì)位置。一般由工藝過(guò)程引起的本征界面態(tài),其密度在1010~1012c盯2范圍內(nèi)。另外,輻射和熱載流子注入也可改變界面態(tài)的密度。

   s⒑2中的陷阱電荷。當(dāng)X射線(xiàn)、謝線(xiàn)、電子等能產(chǎn)生電離的射線(xiàn)通過(guò)氧化層時(shí),可在so2中產(chǎn)生電子一空穴對(duì)。如果氧化物中沒(méi)有電場(chǎng),電子和空穴將復(fù)合,不會(huì)產(chǎn)生凈電荷。但如果氧化層中存在電場(chǎng),將會(huì)有部分電子和空穴剩余被陷阱捕獲而產(chǎn)生輻射感生陷阱電荷。

   影響氧化層電荷的因素很多。柵氧化后的溫度應(yīng)低于950℃左右,因?yàn)闁叛趸?/span>工藝溫度太高、時(shí)間太長(zhǎng)會(huì)使氧化物陷阱電荷密度增大,使s√siα界面附近s⒑2中氧化物空穴陷阱密度增大。柵氧化后退火氣氛一般有兩種,一種是惰性氣體,常用的是N2氣;另一種是所謂的形成氣氛,即含有一定比例H2氣的N2氣的氣體。實(shí)驗(yàn)表明:純N2氣氛退火有較多的氧化物陷阱電荷,而形成氣氛退火時(shí)的氧化物陷阱電荷較少,主要原因是H2的存在增加了電子陷阱,從而對(duì)空穴陷阱起了補(bǔ)償作用。X射線(xiàn)、澍線(xiàn)等產(chǎn)生的氧化層陷阱電荷會(huì)出現(xiàn)飽和現(xiàn)象,產(chǎn)生明顯的空間電荷效應(yīng),對(duì)產(chǎn)生新的電荷起抑制作用。