當(dāng)寬禁帶材料和窄禁帶材料交替生長(zhǎng),窄禁帶材料在兩寬禁帶材料中間時(shí)就形成了雙異質(zhì)結(jié)量子阱結(jié)構(gòu),如圖⒉11所示。由于窄禁帶材料的導(dǎo)帶底低于寬禁帶材料導(dǎo)帶底, L3G4200D價(jià)帶頂高于寬禁帶材料價(jià)帶頂,因此電子和空穴會(huì)局域在量子阱內(nèi)部。異質(zhì)結(jié)量子阱的帶階一般大于圮Γ,防止量子阱內(nèi)的載流子躍遷到量子阱外。

   對(duì)于LED等發(fā)光器件,雙異質(zhì)結(jié)量子阱具有很多優(yōu)點(diǎn)。如量子阱內(nèi)載流子復(fù)合發(fā)出的光能量等于或大于量子阱材料禁帶寬度,遠(yuǎn)小于勢(shì)壘層禁帶寬度,因此勢(shì)壘層光吸收很小;量子阱一般遠(yuǎn)離材料表面,其載流子濃度遠(yuǎn)高于材料表面,減小了表面缺陷引起的非輻射復(fù)合。由于帶階對(duì)載流子的限制作用,導(dǎo)帶電子和價(jià)帶空穴被局限在有限寬度的量子阱內(nèi),載流子注入效率和輻射復(fù)合效率也會(huì)隨之升高。在雙異質(zhì)結(jié)量子阱結(jié)構(gòu)中,多量子阱有源區(qū)的厚度￡z對(duì)LED內(nèi)量子效率有重要影響。通常情況有源區(qū)厚度為幾十到幾百納米,如果量子阱厚度大于載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度,則雙異質(zhì)結(jié)量子阱結(jié)構(gòu)將失去對(duì)載流子的限制作用;如果有源區(qū)厚度太小,在大電流注入下,載流子很容易逃逸出有源區(qū)。