已有的研究表明,天線比越大,等離子損傷越厲害。所以對于每種情況(金屬、多晶體硅、通孔等)應(yīng)當(dāng)通過評價,最后給出結(jié)果來說明在多大的天線比以下是安全的, HCPL2531供電路設(shè)計(jì)工程師參考。這也是設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(Dcsign Rule ChcGk,DRC)的一部分。

   設(shè)計(jì)MOs晶體管時,要考慮天線效應(yīng)的影響。天線效應(yīng)是指當(dāng)大面積的金屬1與柵極相連時,金屬就會作為一個天線,在金屬的刻蝕過程中收集周圍游離的帶電離子,增加金屬上的電勢,進(jìn)而使柵電勢增加。一旦電勢增加到一定程度,就會導(dǎo)致柵氧化層擊穿,如圖8.33所示。圖8.34所示是實(shí)際工藝中MOs器件天線效應(yīng)產(chǎn)生的示意圖,與柵極相連的大面積多晶硅也可能出現(xiàn)天線效應(yīng)。