在LED中,常利用具有較寬帶隙的AlGaN材料作為EBL,將電子限制在有源區(qū)量子阱內(nèi), L7805從而抑制在大電流注入下,電子溢出到p型層中產(chǎn)生非輻射復(fù)合,導(dǎo)致LED的發(fā)光效率衰減。如圖⒉24(a)所示,在常規(guī)無EBL的LED中,工作電流很大時(shí),電子有可能穿越有源區(qū)量子阱達(dá)到p型層區(qū)域,產(chǎn)生漏電流,發(fā)生非輻射復(fù)合;而在具備EBL的LED 中,如圖⒉24(b)所示,無論是n~⒍Ⅸ側(cè)的n~EBL,還是p-GaN側(cè)的p-EBL,其存在均會(huì)將電子有效的限制在有源區(qū)量子阱內(nèi),減小電子漏電流,A,x而提高有源層量子阱內(nèi)的輻射復(fù)合率,進(jìn)而提高發(fā)光效率并抑制效率降低。

   研究表明,通過插入10%~30%A1組分AlGaN EBL,LED樣品在小電流下會(huì)獲得更高的外量子效率(EQE),然而在大電流時(shí)其外量子效率并不很理想;其r/曲線中,含EBL的LED在相同的驅(qū)動(dòng)電流下,工作電壓略高,其原因是高Al組份的EBL中Mg的激活率低,電阻增大增加附加電壓卩3]。

   隨后,為了獲得更好的性能,研究者開始優(yōu)化p-AlGaN EBL的生長溫度、厚度等因素。他們認(rèn)為,低溫生長的⒉AlGaN EBL相比正常溫度生長,更有利于提高器件的發(fā)光效率等性能,而其厚度的增加雖然會(huì)使得LED的抗靜電能力EsD大大提高,但同時(shí)也使得LED發(fā)光強(qiáng)度出現(xiàn)下降。近年來,有人提出了漸變A1組分這一概念卩釗,雖然相對(duì)提高了LED的一些性能,但仍未有較大突破。