在在氮化物多量子阱LED中,大電流密度下注入到有源區(qū)的高能量載流子會(huì)穿越有源區(qū),L6920DBTR形成漏電流,漏電流的大小與靠近有源區(qū)與p型層界面的載流子濃度有關(guān)。若要減少漏電流,阱壘勢(shì)度需大于圯r,這樣才能有效的將載流子限制在有源內(nèi)。在大電流下,載流子獲得足夠的能量脫離多量子阱區(qū)的機(jī)制稱之為載流子泄漏。當(dāng)注入到量子阱內(nèi)的電流增加時(shí),量子阱內(nèi)的載流子濃度及相應(yīng)的費(fèi)米能級(jí)也隨之增加,當(dāng)電流密度高到使費(fèi)米能級(jí)高于量子壘的高度時(shí),即使進(jìn)一步提高注入電流密度,量子阱內(nèi)的載流子濃度也不會(huì)繼續(xù)增加,此時(shí)載流子復(fù)合處于飽和狀態(tài)。

   在氮化物L(fēng)ED中,電子的擴(kuò)散長(zhǎng)度遠(yuǎn)大于空穴,因此我們所探討的載流子泄漏主要是電子泄漏。當(dāng)電子擁有足夠大的熱動(dòng)能時(shí),擺脫有源區(qū)內(nèi)勢(shì)壘的束縛進(jìn)入p型層區(qū),降低了有效復(fù)合效率,導(dǎo)致LED的發(fā)光效率下降。不過(guò)該現(xiàn)象可以采用電子阻擋層(clcctronb1ocking lγcr,EBL)結(jié)構(gòu)予以改善,如圖2-24(a)與(b)所示,分別為有電子阻擋層與無(wú)電子阻擋層的InGaN發(fā)光二極管的能帶結(jié)構(gòu)示意圖。從圖中可以看出AlC.aN電子阻擋層插在多量子阱與p型層之間,A⒑aN的導(dǎo)帶勢(shì)壘高度大于量子阱與量子壘的導(dǎo)帶高度,如

此以來(lái)電子只能具有更高的熱動(dòng)能才能進(jìn)入p型層,這樣就可以有效的將電子限制在多量子阱區(qū)內(nèi)。