基于以上因素,越來越多的人們開始對p-AlGaN EBL提出了不同看法D習(xí)。他們認(rèn)為,p-Al⒍N EBL的插入,雖然在一定程度上增大了電子勢壘,但隨著A1組分的增大,AlGaN電子阻擋層和最后一個GaN壘的晶格失配產(chǎn)生的壓電極化電場, L7805-12CV與疊加GaN自身的極化場疊加,進(jìn)一步加劇發(fā)光波長的偏移。此外,該壓電極化電場會在AlGaN EBL的價帶中產(chǎn)生一個阻礙空穴注入的勢壘尖峰,阻礙空穴向有源區(qū)的有效注入,這也會影響空穴在多量子阱內(nèi)的均勻分布,最終降低LED的發(fā)光效率卩到。同時,低溫p-A1CIaN的插入,還會影響緊隨其后生長的p-GaN夕卜延晶體質(zhì)量,降低p型層的Mg雜質(zhì)激活效率。因此,作為AlGaNEBL的一種,n~GaN與多量子阱之間的n~A1GaN EBL就體現(xiàn)出了其獨(dú)有的優(yōu)勢D刨。由于n-A1⒍Ⅸ位置遠(yuǎn)離p型層,因此不會對空穴遷移造成阻礙,即相比p-Al⒍N EBL,其空穴在多量子阱內(nèi)分布更為均勻,這會提高LED的光功率,改善效率衰減,提高其各項性能D"。

   除了采用組分均勻單一的AlC1aN層,還有人采用短周期的AlGaN/GaN量子阱或超晶格結(jié)構(gòu)來制作EBL卩四,以期實現(xiàn)有效地抑制電子的溢出并提高空穴注入效率,來改善效率衰減。其研究認(rèn)為,在多量子阱有源區(qū)與p-GaN之間插入p-A1G瘀/GaN超晶格,能夠利用AlG泛Ⅸ/GaN超晶格對電子的阻擋作用,成功解決大工作電流下載流子的泄漏問題,獲得光功率、外量子效率的提升。