如圖⒉25所示,L7805CV電子阻擋層的價(jià)帶勢壘高度高于少G扒層,阻礙了空穴從p型層注入到多量子阱區(qū);此外,由于A1GaN層與p-GaN層之間存在著自發(fā)極化電場差以及界面處的晶格不匹配產(chǎn)生的壓電極化電場,會在兩者界面處AlGaN價(jià)帶內(nèi)形成尖峰,進(jìn)

一步阻擋空穴有效注入。L7805CV研究表明,在小注入電流條件下,有AlGaN電子阻擋層的藍(lán)光LED樣品的外量子效率高于無AlGaN的樣品;在大電流注入下,結(jié)果正好相反。研究人員認(rèn)為在小電流注入 條件下,AlGraN電子阻擋層對空穴注入發(fā)光復(fù)合區(qū)的阻擋效應(yīng)不是很明顯,而其較高的導(dǎo)帶勢壘能有效地抑制電子的泄漏,從而獲得比無電子阻擋層LED高的量子效率。但在大電流注入下,是否有p型電子阻擋層對發(fā)光復(fù)合區(qū)的電子濃度影響不大,此時(shí)迸入發(fā)光復(fù)合區(qū)的空穴數(shù)量對外量子效率起主導(dǎo)作用.