淀積Si02絕緣層。用PECVD在芯片上表面生長(zhǎng)5000A的sio2,用來(lái)做后期金電極壓焊與器件表面的電絕緣。

   光刻出光孔。JST2N60P先光刻出孔狀圖形,再用Sio腐蝕液(HF∶NH4F∶比o=3∶6△0)腐蝕去除孔處的s⒑2,露出出光口及歐姆接觸區(qū)域。腐蝕完成后去膠,用丙酮、乙醇各煮2遍,去離子水沖洗30遍,用N2氣吹干。

   制備p型電極。先用反轉(zhuǎn)光刻形成倒梯形膠體,露出的部分為電極形狀。接著常溫濺射厚度為150A的△和3000A的Au。最后將濺射后的芯片放入丙酮溶液中,超聲剝離電極。

   襯底減薄。使用金剛砂將襯底減薄至100um左右,便于解理和減小串聯(lián)電阻。薄完成用四氯化碳、三氯乙烯、丙酮、乙醇各煮兩遍,去離子水沖洗30遍,用N2氣吹干。

   淀積n型電極。常溫濺射厚度為500A的AuGcNi和3000A的Au。

   合金退火。將芯片在紹0℃下退火40s,以實(shí)現(xiàn)良好歐姆接觸。

   最后,解理、壓焊、封裝。進(jìn)行器件性能的測(cè)試表征。

   是RCLED和常規(guī)LED的遠(yuǎn)場(chǎng)強(qiáng)度分布的測(cè)試結(jié)果,以最大強(qiáng)度的50%為基準(zhǔn),常規(guī)LED的視角為109,6°,而RCLED的視角僅為”.6°�？梢�(jiàn),如果將RCLED用于POF的光源,可以有效地提高耦合效率。