制作金屬電極。通過(guò)黃光光刻將金屬電極圖形轉(zhuǎn)移到晶圓上,然后通過(guò)氧氣等離子體(o2v1asma)進(jìn)行去殘膠處理,JAGASM-AE保證蒸鍍金屬前的潔凈度,再使真空鍍膜機(jī)在晶圓上蒸鍍層金屬電極層,接著采用藍(lán)膜撕金(liR-off)的方式實(shí)現(xiàn)金屬電極的最終成型。金屬電極層的材料一般是含金或者含鋁多層金屬膜。常見(jiàn)的金屬電極組合方式有Cr/Pt/Au、cr燜i從l等。

   研磨切割。通常2英寸晶圓的厚度有硐0um以上,為了將晶圓切成一顆一顆的晶粒(山ip),先要將晶圓磨薄,磨薄分成兩個(gè)階段,第一階段將晶圓快速減薄到接近目標(biāo)厚度,第二階段將減薄的晶圓進(jìn)行拋光處理,拋光到需要的目標(biāo)厚度。小功率芯片的目標(biāo)厚度通常在85~125um。最后將磨薄的晶圓貼在白膜進(jìn)行切割與劈裂,實(shí)現(xiàn)晶圓到晶粒的轉(zhuǎn)變。早期LED芯片切割都是使用紫外激光進(jìn)行表面燒蝕切割,但目前隱形切割己經(jīng)逐步取代了紫外激光表面燒蝕切割,隱形切割可以大幅提高芯片亮度。

   點(diǎn)測(cè)分選。將完成切割劈裂的晶粒翻轉(zhuǎn)至藍(lán)膜上,進(jìn)行光電參數(shù)測(cè)試,通常會(huì)測(cè)試正向電壓(/f),亮度(LOP),主波長(zhǎng)(冫‰),峰值波長(zhǎng)(%),開(kāi)啟電壓(‰),反向電流(再),反向電壓(/R),半波寬(HW)等參數(shù)。一般做成大圓片的話不需要擴(kuò)張就可以直接進(jìn)行點(diǎn)測(cè),點(diǎn)測(cè)完成后進(jìn)行外觀檢查作業(yè)后就可以入庫(kù)處理。而更高規(guī)格要求分成方片的產(chǎn)品,就要先進(jìn)行擴(kuò)張?jiān)龠M(jìn)行點(diǎn)測(cè),點(diǎn)測(cè)完成后進(jìn)行自動(dòng)外觀檢查(AOI)作業(yè),然后按照預(yù)先設(shè)定的分類等級(jí)(BIN表)進(jìn)行分選作業(yè),將相同等級(jí)的晶粒挑選到同一張方片,這些方片送質(zhì)量檢測(cè)部門(mén)檢測(cè)合格后就入庫(kù)到成品倉(cāng)庫(kù)。至此芯片制程就完成了。小功率芯片結(jié)構(gòu)也有也其他結(jié)構(gòu),如圖⒋21和圖⒋22所示。