制作金屬電極。通過黃光光刻將金屬電極圖形轉移到晶圓上,然后通過氧氣等離子體(o2v1asma)進行去殘膠處理,JAGASM-AE保證蒸鍍金屬前的潔凈度,再使真空鍍膜機在晶圓上蒸鍍層金屬電極層,接著采用藍膜撕金(liR-off)的方式實現(xiàn)金屬電極的最終成型。金屬電極層的材料一般是含金或者含鋁多層金屬膜。常見的金屬電極組合方式有Cr/Pt/Au、cr燜i從l等。

   研磨切割。通常2英寸晶圓的厚度有硐0um以上,為了將晶圓切成一顆一顆的晶粒(山ip),先要將晶圓磨薄,磨薄分成兩個階段,第一階段將晶圓快速減薄到接近目標厚度,第二階段將減薄的晶圓進行拋光處理,拋光到需要的目標厚度。小功率芯片的目標厚度通常在85~125um。最后將磨薄的晶圓貼在白膜進行切割與劈裂,實現(xiàn)晶圓到晶粒的轉變。早期LED芯片切割都是使用紫外激光進行表面燒蝕切割,但目前隱形切割己經逐步取代了紫外激光表面燒蝕切割,隱形切割可以大幅提高芯片亮度。

   點測分選。將完成切割劈裂的晶粒翻轉至藍膜上,進行光電參數(shù)測試,通常會測試正向電壓(/f),亮度(LOP),主波長(冫‰),峰值波長(%),開啟電壓(‰),反向電流(再),反向電壓(/R),半波寬(HW)等參數(shù)。一般做成大圓片的話不需要擴張就可以直接進行點測,點測完成后進行外觀檢查作業(yè)后就可以入庫處理。而更高規(guī)格要求分成方片的產品,就要先進行擴張再進行點測,點測完成后進行自動外觀檢查(AOI)作業(yè),然后按照預先設定的分類等級(BIN表)進行分選作業(yè),將相同等級的晶粒挑選到同一張方片,這些方片送質量檢測部門檢測合格后就入庫到成品倉庫。至此芯片制程就完成了。小功率芯片結構也有也其他結構,如圖⒋21和圖⒋22所示。