如圖4-7所示,負性光刻將與掩膜板圖形相反的圖形復制在晶片表面,其基本特征是經(jīng)過曝光后,JST7809CV光刻膠發(fā)生交聯(lián)反應而不能被顯影液溶解,保留在晶片表面作為后續(xù)工序的保護層,其余沒有被曝光的光刻膠沒有發(fā)生交聯(lián)反應,在顯影中被溶解,因此經(jīng)過負性光刻后在晶片表面得到與掩膜板相反的圖形。這種光刻膠被稱為負性膠,簡稱負膠。

   在LED芯片制造,尤其是藍綠光LED芯片制造中,通常在金屬電極制作時用的就是負性光刻,如圖4甥所示。先在待做金屬電極的晶片上用負膠進行負性光刻,在完成負性光刻的晶片上,待做金屬電極的區(qū)域沒有光刻膠而裸露出晶片,而不用做金屬電極的區(qū)域被負膠保護住。然后鍍上電極金屬,再用金屬剝離法將非金屬電極區(qū)域的金屬剝離,再去除負膠,達到電極制作的目的。