RPD原理
發(fā)布時間:2016/8/3 21:46:43 訪問次數(shù):11296
等離子體沉積(Rcactivc Plasma Di叩osition,RPD)的原理與電子束蒸發(fā)和濺射均不相同,其原理如圖⒋5所示。 JST7806CV它是等離子體發(fā)生器發(fā)出等離子體流經(jīng)過磁場偏轉(zhuǎn)打在ITo源 上,ITo發(fā)生升華沉積到待沉積晶片上。由于ITO源和晶片之間的偏壓較小,所以不會對晶片表面產(chǎn)生損傷,這個也是RPD較Sputtcr的優(yōu)勢所在,但是經(jīng)過調(diào)整合適的濺射參數(shù),spu⒒e⒈ITo也能做到對晶片無損傷。
等離子體沉積(Rcactivc Plasma Di叩osition,RPD)的原理與電子束蒸發(fā)和濺射均不相同,其原理如圖⒋5所示。 JST7806CV它是等離子體發(fā)生器發(fā)出等離子體流經(jīng)過磁場偏轉(zhuǎn)打在ITo源 上,ITo發(fā)生升華沉積到待沉積晶片上。由于ITO源和晶片之間的偏壓較小,所以不會對晶片表面產(chǎn)生損傷,這個也是RPD較Sputtcr的優(yōu)勢所在,但是經(jīng)過調(diào)整合適的濺射參數(shù),spu⒒e⒈ITo也能做到對晶片無損傷。
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相關(guān)技術(shù)資料- 8-3RPD原理
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- JST7806CV
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