真正意義的世界上第一只LED,是由Ho1ony酞等人[l,劍于19⒍年利用GaAsP材料制得的紅光LED。B8P-VH從此可見光發(fā)光二極管步入商業(yè)化發(fā)展進(jìn)程。1968年,利用摻氮工藝使GaAsP LED器件的效率達(dá)到了11四W,并且能夠發(fā)出紅色、橙色和黃色光。⒛世紀(jì)80年代,采用液相外延方法生長(zhǎng)的AlGaAs發(fā)光二極管,使紅色發(fā)光二極管性能得到了很大提高,發(fā)光效率達(dá)到101WW。AlGaAs紅色發(fā)光二極管成為第一支超過(guò)白熾燈發(fā)光效率的光源。A1GaAs新材料生長(zhǎng)技術(shù)的發(fā)展使得高質(zhì)量AlGaAs/GaAs量子阱得以應(yīng)用于LED結(jié)構(gòu)中,載流子在量子阱中受到的限制效應(yīng)顯著增強(qiáng),大大地提高了LED的發(fā)光效率。1991年,日本東芝公司和美國(guó)HP公司研制成InGaAlP mOnm橙紅色超高亮度LED。19”年,InGaAlP590nm黃色超高亮度LED達(dá)到實(shí)用化。同年,東芝公司研制的InGaAlP573nm黃綠色超高亮度LED的軸向光強(qiáng)達(dá)2cd。四元AlGaInP材料系應(yīng)用于發(fā)光二極管使得內(nèi)量子效率進(jìn)一步提高,研究的重點(diǎn)也從內(nèi)量子效率轉(zhuǎn)向外量子效率。