AlGaN電子阻擋層
發(fā)布時(shí)間:2016/7/31 16:38:09 訪問(wèn)次數(shù):3769
AlGaN電子阻擋層(Electron blOcking layer,EBL)中存在的極化效應(yīng)也會(huì)導(dǎo)致能帶彎曲。在EBL與有源層的最后一個(gè)壘的界面處,EBL材料的能帶向下彎曲,造成電子泄露。 AF60N03D這被認(rèn)為是造成LED在大電流注入時(shí)效率下降的可能原因之一。
以上種種,都說(shuō)明多量子阱內(nèi)的極化場(chǎng)阻礙了Ⅲ族氮化物光電子器件的效率提升。若能對(duì)Ⅲ族氮化物材料中的極化場(chǎng)加以調(diào)控,避短揚(yáng)長(zhǎng),勢(shì)必將促進(jìn)氮化物半導(dǎo)體的發(fā)展與應(yīng)用。利用極化效應(yīng)改善氮化物半導(dǎo)體器件的性能或開(kāi)發(fā)新型器件己成為一個(gè)很有潛力的研究方向。
AlGaN電子阻擋層(Electron blOcking layer,EBL)中存在的極化效應(yīng)也會(huì)導(dǎo)致能帶彎曲。在EBL與有源層的最后一個(gè)壘的界面處,EBL材料的能帶向下彎曲,造成電子泄露。 AF60N03D這被認(rèn)為是造成LED在大電流注入時(shí)效率下降的可能原因之一。
以上種種,都說(shuō)明多量子阱內(nèi)的極化場(chǎng)阻礙了Ⅲ族氮化物光電子器件的效率提升。若能對(duì)Ⅲ族氮化物材料中的極化場(chǎng)加以調(diào)控,避短揚(yáng)長(zhǎng),勢(shì)必將促進(jìn)氮化物半導(dǎo)體的發(fā)展與應(yīng)用。利用極化效應(yīng)改善氮化物半導(dǎo)體器件的性能或開(kāi)發(fā)新型器件己成為一個(gè)很有潛力的研究方向。
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