n電極制備:去除GaInP腐蝕停層:鹽酸:水=3∶1的鹽酸溶液對GaInP/GaAs具有腐蝕選擇比。BBR43-24KB533鹽酸溶液去除GaInP后,GaAs歐姆層上淀積光刻N型電極。因GaAs對光有很高的吸收率,光刻電極之后應腐蝕去除GaAs層。

   表面粗化:在n~AlGaInP的電流擴展層上進行表面粗化處理,表面粗化的方式與第5章所述方法類似。

   p電極制備:減薄Si襯底,蒸鍍P型背面電極,退火。

   后工藝:切割、分選、壓焊、測試。

   實際上由于各公司的工藝不同、襯底不同等,并沒有統(tǒng)一的工藝流程。Chicll-Fu Huan等人⑼報道了一種透明襯底轉移AlGaInP LED的制備方法,如圖⒍6所示。首先通過MOCVD生長外延結構,然后在p型區(qū)表面淀積P型電極BcAu,將芯片鍵合到臨時襯底(如玻璃)上并剝離GaAs襯底,緊接著制備N型插指GcAu電極及n型粗化表面,將芯片鍵合到永久襯底(藍寶石)上并剝離臨時襯底,制備發(fā)射區(qū)的p型粗化表面,最后將N型電極連接到n型插指GcAu上。