因?yàn)锳1GaInP材料p型摻雜困難給上電極下的電流擴(kuò)展帶來(lái)問(wèn)題,上電極注入的電流主要集中在上電極下面,此處發(fā)出的光會(huì)被上面的電極阻擋,有效發(fā)光區(qū)面積小,BAF04-24153-0502發(fā)光二極管的光提取效率較低,為此需要引入電流擴(kuò)展層。

   LED中的電流擴(kuò)展層需要滿(mǎn)足3個(gè)條件:①對(duì)有源區(qū)發(fā)出的光透明;②電阻率低;③和上下電極形成低勢(shì)壘接觸。對(duì)于紅光LED,電流擴(kuò)展層一般有A⒗aAs[l㈣,GaP,透明導(dǎo)電氧化物(Tran。sparcnt Conductivc Oxidc,TCo)等透明材料。Chong-Ⅵ Lcc等人【ll]比較了A1GaAs與GaP同為電流擴(kuò)展層的LED性能,雖然AlGaAs是晶格匹配材料且串聯(lián)電阻小,而GaP具有高達(dá)357%晶格失配,但是GaP作為電流擴(kuò)展層具有更高的光輸出,是更加理想的電流擴(kuò)展層材料。