19年,斯坦福國際研究所的C,A.跏indt通過薄膜技術(shù)和微細(xì)加工方法,研制出陣列狀的微尖結(jié)構(gòu)(具有柵極的金屬鉬微尖――spilldt微尖);S101D02

   19年,Cr。哎等人提出利用s∮ndt陰極研制平板顯示器件;

   19T4年,%omas等人首次報(bào)導(dǎo)利用硅基微電子工藝制備硅微尖;

   19T6年,S血th等人報(bào)導(dǎo)了具有pˉn結(jié)結(jié)構(gòu)的帶有柵極的硅微尖陣列;

   1978年,Hoeberech“報(bào)導(dǎo)了利用硅的腐蝕各向異性制備三極管型硅微尖陣列;

   19”年,Br。d憶報(bào)導(dǎo)Spindt陰極在真空度為103Pa下的壽命超過2萬h;

  19gs年,M鑼?duì)业热耸状螆?bào)導(dǎo)矩陣選址的單色FED;

   19“年,⒍ay等人首次報(bào)導(dǎo)可工作的硅基微真空三極管;

   19⒏年,∞indt等人首次報(bào)導(dǎo)高分辨率和三色FED;

   1988年,召開首次國際真空微電子會(huì)議;

   19⒆年,Makhow報(bào)導(dǎo)在低于10Ⅴ的電壓下獲得的場發(fā)射;

   199O年,Betsui報(bào)導(dǎo)從硅微尖獲得sOItA/tip,spindt等人報(bào)導(dǎo)利用Spindt陰極獲得1000A/c彳,Marcus等人報(bào)導(dǎo)亞納米硅基微尖,法國政府實(shí)驗(yàn)室LETI對(duì)跏indt的方法做了某些改進(jìn)并研制出第一個(gè)可工作的15cm單色FED顯示器;

   19呢年,法國成立了Re姓公司,并先后有美國Texas Inst,Ravtheon和日本Futaba等公司加入,成為一家跨國公司;