為了使FET工作， MR-75004必須在各電極上加電壓。對(duì)于N型溝道，結(jié)型及耗盡型，漏極D對(duì)源極S的電位為正，G對(duì)S的

電位為負(fù)，D、G對(duì)S的電位均為正。對(duì)于P型溝道，加上與N型溝道時(shí)極性相反的電壓。此外，耗盡型的情況，有時(shí)N型溝道、P型溝道都使G、S成為同電位使用。

   FET的用途

   晶體管的輸入阻抗大致為幾十kQ，而FET的輸入阻抗則為幾

Mfl以上。因此，F(xiàn)ET具有輸入阻抗非常高的特征，用于需要高輸入阻抗的測(cè)量?jī)x器或電容式話筒等輸入部分的放大電路中。由于柵壓的作用，F(xiàn)ET還具有導(dǎo)通狀態(tài)或截止?fàn)顟B(tài)的開關(guān)作用，因此用于計(jì)算機(jī)的邏輯電路中。

   場(chǎng)效應(yīng)晶體管的主要參數(shù)

   (1)飽和漏電流IDSS

   當(dāng)柵源間電壓為零時(shí)，漏極電流的飽和值稱為飽和漏電流。

   (2)柵源截止電壓UGS

   使漏電流接近于零時(shí)，此時(shí)柵極上所加的偏壓就稱為柵源截止電壓，此參數(shù)是對(duì)耗盡型而言。