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P型部分擁有許多空穴

發(fā)布時(shí)間:2016/10/8 12:31:40 訪問(wèn)次數(shù):822

   將磷(P)、銻(Sb)、砷(As)等5價(jià)原子的雜質(zhì)少量地?fù)竭M(jìn)鍺或硅

的純晶體中可以形成N型半導(dǎo)體, IA171此類(lèi)提供電子的雜質(zhì)稱(chēng)為施主雜質(zhì)。另一方面,摻A3價(jià)原子硼(B)、鎵(Ga)、銦(In)等則可形成P型 半導(dǎo)體,此類(lèi)提供空穴的雜質(zhì)稱(chēng)為受主雜質(zhì)。在其中擁有負(fù)( nega-tive)電荷的自由電子及扮演正(positive)電荷角色的空穴擔(dān)負(fù)著傳導(dǎo)電流的作用。

   將晶體的一半另一半做成N型。在晶體中

   存在P型與N型的結(jié)合部分因此稱(chēng)為

PN結(jié))。P型部分擁有許多空穴,而N型部分擁有許多自由電子。因此將PN結(jié)合起來(lái)則一部分的空穴與自由電子越過(guò)P區(qū)域與N區(qū)域

的邊界擴(kuò)散至對(duì)方的領(lǐng)地,混合而達(dá)到平衡狀態(tài)。因此,我們將移動(dòng)至對(duì)方領(lǐng)域的載流子稱(chēng)為注入載流子。

   對(duì)此元器件向使P型部分成為負(fù)的方向加載電壓會(huì)怎樣呢?此時(shí)N型一邊的電子被吸引到正電極,而P型一邊的

空穴則被吸引到負(fù)電極,因此,在中間部位就形成了如同厚厚的墻壁樣的狀態(tài),在晶體的中間部位斷絕了電子的補(bǔ)充。

   將磷(P)、銻(Sb)、砷(As)等5價(jià)原子的雜質(zhì)少量地?fù)竭M(jìn)鍺或硅

的純晶體中可以形成N型半導(dǎo)體, IA171此類(lèi)提供電子的雜質(zhì)稱(chēng)為施主雜質(zhì)。另一方面,摻A3價(jià)原子硼(B)、鎵(Ga)、銦(In)等則可形成P型 半導(dǎo)體,此類(lèi)提供空穴的雜質(zhì)稱(chēng)為受主雜質(zhì)。在其中擁有負(fù)( nega-tive)電荷的自由電子及扮演正(positive)電荷角色的空穴擔(dān)負(fù)著傳導(dǎo)電流的作用。

   將晶體的一半另一半做成N型。在晶體中

   存在P型與N型的結(jié)合部分因此稱(chēng)為

PN結(jié))。P型部分擁有許多空穴,而N型部分擁有許多自由電子。因此將PN結(jié)合起來(lái)則一部分的空穴與自由電子越過(guò)P區(qū)域與N區(qū)域

的邊界擴(kuò)散至對(duì)方的領(lǐng)地,混合而達(dá)到平衡狀態(tài)。因此,我們將移動(dòng)至對(duì)方領(lǐng)域的載流子稱(chēng)為注入載流子。

   對(duì)此元器件向使P型部分成為負(fù)的方向加載電壓會(huì)怎樣呢?此時(shí)N型一邊的電子被吸引到正電極,而P型一邊的

空穴則被吸引到負(fù)電極,因此,在中間部位就形成了如同厚厚的墻壁樣的狀態(tài),在晶體的中間部位斷絕了電子的補(bǔ)充。

相關(guān)技術(shù)資料
10-8P型部分擁有許多空穴
相關(guān)IC型號(hào)
IA171
暫無(wú)最新型號(hào)

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