真空管有一系列的缺點(diǎn)。如體積大， A3959SLPTR-T連接處易于變松導(dǎo)致真空泄漏、易碎、要求相對(duì)較多的電能來(lái)運(yùn)行，并且元件老化很快ENIAC和其他基于真窄管的計(jì)算機(jī)的主要缺點(diǎn)是由于真空管易燒毀而導(dǎo)致運(yùn)行時(shí)問有限然而，早期‘人們并未意識(shí)到計(jì)算機(jī)的潛力。1943年，國(guó)際商業(yè)機(jī)器( IBM)公司的董事會(huì)主席，托t弓斯·沃森( Thffrnas Watson)大膽預(yù)壽“我認(rèn)為世界范圍可能有5臺(tái)計(jì)算機(jī)的市場(chǎng)”

   這些問題成為許多實(shí)驗(yàn)室尋找真空管替代品的動(dòng)力，這‘努力在1947年12月23日得以實(shí)現(xiàn)，貝爾實(shí)驗(yàn)室的ij位科學(xué)家演示rf掃半導(dǎo)體材料鍺制成的電子放大器件（見圖1.3）。，

   這種器件不但有真空管的功能，而且為固態(tài)（無(wú)真空），且具

有體積小、質(zhì)量輕、耗電低并且壽命長(zhǎng)的優(yōu)點(diǎn)，起初命名為“傳輸

電阻器”( transfer resistor)，而后很快更名為晶體管(transistor)。

   John Barcleen、Walter Brattin和William Shockley這三值科學(xué)家

因這+發(fā)明而獲得1956年的諾貝爾物理獎(jiǎng)。

   第一個(gè)晶體管和今天的高密度集成電路相去甚遠(yuǎn)，但它和它的許多著名“后裔”賦予r固態(tài)電子時(shí)代的誕乍，除晶體管之外，固態(tài)技術(shù)還用于制造二極管、電阻器和電容器．二極管為兩個(gè)部件的器件，在電路中起到開關(guān)的作用；電阻器是單元件的器件，承擔(dān)限制電流的作

用；電容器為兩個(gè)元件的器件，在電路中起儲(chǔ)存電荷的作用，在有些電路中應(yīng)用這種技術(shù)制造保險(xiǎn)絲，有關(guān)這些概念和器件r作原理的解釋呵參閱第14章。

   這螳每個(gè)芯片中只含有—個(gè)元件的器件稱為分立器件（見圖1. 4）?大多數(shù)分\ 1is(-rete)器件在功能和制造卜比集成電路的要求少。，大體f二，分立器件不被認(rèn)為是尖端產(chǎn)品，然而它們卻用于最精密復(fù)雜的電子系統(tǒng)中。在1998年它們的銷售額占全部半導(dǎo)體器件銷售額的l2%’。，20世紀(jì)50年代，早期半導(dǎo)體工業(yè)進(jìn)入了。個(gè)非�；钴S的時(shí)期，為晶體管收音機(jī)和晶體管計(jì)算機(jī)提供器件。