對于半導體發(fā)光器件,如需求最大、研究最多的LED,不僅需要考慮材料本身的發(fā)光性質(zhì),還要求材料具有適合制備LED器件的特別性質(zhì)。AD9514BCPZ對于.LED等發(fā)光器件,對材料的要求主要是:

   (1)直接帶隙半導體。直接帶隙半導體中導帶底的電子可直接躍遷到價帶頂與空穴復合,所以躍遷概率大,發(fā)光效率高,適合用于發(fā)光材料和器件;而間接帶隙導帶底和價帶頂?shù)目昭òl(fā)生躍遷需要聲子參與以保持動量守恒,這種躍遷是二級微擾過程,所以躍遷概

率小,不適合用于發(fā)光材料和器件。

   (2)合適的禁帶寬度。發(fā)光材料中電子一空穴對最大概率的躍遷應于導帶底到價帶頂?shù)?/span>躍遷,所以LED發(fā)射的光子能量約等于有源區(qū)半導體材料的禁帶寬度。LED發(fā)光波長龍(nm)和半導體材料禁帶寬度幾(cV)的關系為: