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半導(dǎo)體發(fā)光材料條件

發(fā)布時(shí)間:2016/10/31 20:38:05 訪問次數(shù):2551

   對(duì)于半導(dǎo)體發(fā)光器件,如需求最大、研究最多的LED,不僅需要考慮材料本身的發(fā)光性質(zhì),還要求材料具有適合制備LED器件的特別性質(zhì)。AD9514BCPZ對(duì)于.LED等發(fā)光器件,對(duì)材料的要求主要是:


   (1)直接帶隙半導(dǎo)體。直接帶隙半導(dǎo)體中導(dǎo)帶底的電子可直接躍遷到價(jià)帶頂與空穴復(fù)合,所以躍遷概率大,發(fā)光效率高,適合用于發(fā)光材料和器件;而間接帶隙導(dǎo)帶底和價(jià)帶頂?shù)目昭òl(fā)生躍遷需要聲子參與以保持動(dòng)量守恒,這種躍遷是二級(jí)微擾過程,所以躍遷概

率小,不適合用于發(fā)光材料和器件。

   (2)合適的禁帶寬度。發(fā)光材料中電子一空穴對(duì)最大概率的躍遷應(yīng)于導(dǎo)帶底到價(jià)帶頂?shù)?/span>躍遷,所以LED發(fā)射的光子能量約等于有源區(qū)半導(dǎo)體材料的禁帶寬度。LED發(fā)光波長(zhǎng)龍(nm)和半導(dǎo)體材料禁帶寬度幾(cV)的關(guān)系為:

   制備特定波長(zhǎng)的發(fā)光器件,首先需要選擇特定禁帶寬度的半導(dǎo)體材料。如圖3。”所示,GaAs帶隙為1.42cV,是傳統(tǒng)的紅外LED發(fā)光材料。而制備藍(lán)光LED,對(duì)應(yīng)有源區(qū)半導(dǎo)體 材料的禁帶寬度應(yīng)在2,8cV左右,所以既無法利用ⅡI族砷化物和磷化物,也無  ‘法直接用利用GaN材料作LED的有源層。  



   對(duì)于半導(dǎo)體發(fā)光器件,如需求最大、研究最多的LED,不僅需要考慮材料本身的發(fā)光性質(zhì),還要求材料具有適合制備LED器件的特別性質(zhì)。AD9514BCPZ對(duì)于.LED等發(fā)光器件,對(duì)材料的要求主要是:


   (1)直接帶隙半導(dǎo)體。直接帶隙半導(dǎo)體中導(dǎo)帶底的電子可直接躍遷到價(jià)帶頂與空穴復(fù)合,所以躍遷概率大,發(fā)光效率高,適合用于發(fā)光材料和器件;而間接帶隙導(dǎo)帶底和價(jià)帶頂?shù)目昭òl(fā)生躍遷需要聲子參與以保持動(dòng)量守恒,這種躍遷是二級(jí)微擾過程,所以躍遷概

率小,不適合用于發(fā)光材料和器件。

   (2)合適的禁帶寬度。發(fā)光材料中電子一空穴對(duì)最大概率的躍遷應(yīng)于導(dǎo)帶底到價(jià)帶頂?shù)?/span>躍遷,所以LED發(fā)射的光子能量約等于有源區(qū)半導(dǎo)體材料的禁帶寬度。LED發(fā)光波長(zhǎng)龍(nm)和半導(dǎo)體材料禁帶寬度幾(cV)的關(guān)系為:

   制備特定波長(zhǎng)的發(fā)光器件,首先需要選擇特定禁帶寬度的半導(dǎo)體材料。如圖3!彼,GaAs帶隙為1.42cV,是傳統(tǒng)的紅外LED發(fā)光材料。而制備藍(lán)光LED,對(duì)應(yīng)有源區(qū)半導(dǎo)體 材料的禁帶寬度應(yīng)在2,8cV左右,所以既無法利用ⅡI族砷化物和磷化物,也無  ‘法直接用利用GaN材料作LED的有源層。  



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