半導(dǎo)體材料可形成良好的n型和p型摻雜,具備高的n型和p型電導(dǎo)率。 AD9746BCPZ為制備pn結(jié),需要半導(dǎo)體材料可形成p和n兩種導(dǎo)電類(lèi)型;為了提高載流子的注入效率和降低LED的串聯(lián)電阻,需要n型和p型材料有足夠高的載流子濃度和電導(dǎo)率。Zno材料晶格常數(shù)和禁帶寬度與G瘀接近,但由于實(shí)現(xiàn)p型摻雜困難, 阻礙了其在LED上的應(yīng)用。

    用于LED等發(fā)光器件的半導(dǎo)體材料要求具有高的晶體質(zhì)量。半導(dǎo)體晶體材料中的缺陷是非輻射復(fù)合中心,高的缺陷密度將大大減小注入有源區(qū)的非平衡載流子壽命,降低發(fā)光效率,所以高質(zhì)量的材料是制作高效率發(fā)光器件的必要條件。對(duì)于GaAs基LED,當(dāng)材料中位錯(cuò)密度大于1.0×104m卩時(shí),其發(fā)光效率就會(huì)大大降低,失去發(fā)光材料的價(jià)值。對(duì)于G瘀基LED,由于缺少晶格匹配的襯底材料,大多是以藍(lán)寶石為襯底,利用外延生長(zhǎng)方法制各GaN材料。G汛與藍(lán)寶石的晶格常數(shù)差高達(dá)13.8%,直接生長(zhǎng)的晶體質(zhì)量很差,輻射復(fù)合效率極低,曾經(jīng)是GaN基LED發(fā)展過(guò)程的主要障礙之一,后來(lái)N,Akasaki和s,Nakamura等人發(fā)明了首先生長(zhǎng)低溫成核層,然后生長(zhǎng)高溫GaN的兩步生長(zhǎng)法,才得到較高晶體質(zhì)量的G瘀材料,促使了之后GaN藍(lán)光LED的蓬勃發(fā)展。