LED發(fā)光用氮化鎵基外延片包括LED全結(jié)構(gòu)外延片,和按導(dǎo)電類型分為n型和p型兩種類型的單層氮化鎵外延片。 JANTX2N2222A氮化鎵基外延片首先需要進(jìn)行外形尺寸、外觀的檢驗(yàn),包括:

   (1)外延層厚度。一般利用多光束干涉原理,在外延片的生長過程中進(jìn)行膜厚的在線監(jiān)測(cè)。一定波長的光從很薄的外延層的不同表面反射回來,存在光程差,會(huì)發(fā)生相長或相消干涉,可用于探測(cè)薄膜厚度,監(jiān)測(cè)外延層的生長速率。對(duì)外延層厚度的在線監(jiān)測(cè)有助于實(shí)時(shí)調(diào)整控制條件,提高外延片的成品率。

   (2)徑向厚度不均勻性。要求沿定位徑向厚度不均勻性≤±3%。

   (3)表面形貌。六角缺陷,細(xì)凹坑,細(xì)痕,白點(diǎn)等數(shù)量及尺寸;如￠50.8rym夕卜延片指標(biāo)為六角缺陷小于300um,每片少于⒛個(gè);細(xì)凹坑小于⒛um,每片少于100個(gè);細(xì)痕小于511nll,每片少于3個(gè);白點(diǎn)小于3mm,每片少于20個(gè)。

   (4)表面粗糙度。平面外延片表面粗糙度≤0.2nm。然后對(duì)外延片的波長范圍、均勻性(要求≤8nm)和電壓進(jìn)行測(cè)量,電壓偏差很大,

波長偏長或偏短的樣品均為不合格產(chǎn)品。最后需要檢測(cè)外延片的晶體質(zhì)量,包括雙晶半寬和位錯(cuò)密度及位置分布,合格的產(chǎn)品要求位錯(cuò)密度≤1×1010個(gè)/cm2(￠50.811nll外延片)。