LED芯片的制造從MOCVD方法制備的外延片成品開(kāi)始,屬于半導(dǎo)體LED制造的中段工藝。JANTX2N6798外延片成品首先需要進(jìn)行表面清洗處理,然后進(jìn)入如下的流程。

   (1)IPo(Indium Tin Oxide)透明電極層生長(zhǎng)。氧化銦錫是金屬銦的氧化物(In2o3)和金屬錫的氧化物(Sno2)的混合物,通常質(zhì)量比為⒇%的In2⒐和10%的SnO2。其特性是具有很好的導(dǎo)電性和光學(xué)透明性,可以切斷對(duì)人體有害的電子輻射、紫外線及遠(yuǎn)紅外線。因此,噴涂在玻璃、塑料及電子顯示屏⊥后,在增強(qiáng)導(dǎo)電性和透明性的同時(shí)切斷對(duì)人體有害的電子輻射及紫外線、紅外線。氧化銦錫薄膜一般采用電子束蒸發(fā)、物理氣相沉積或一些濺射沉積技術(shù)的方法沉積到表面。

   (2)圖形光刻ITo透明電極層,光刻過(guò)程一般在黃光區(qū)進(jìn)行,所以也稱為黃光作業(yè),主要包括:甩膠、前烘、曝光、顯影、堅(jiān)膜和腐蝕。甩膠:將少量光刻膠滴在外延片上(p-GaN層表面),用勻膠臺(tái)在高速旋轉(zhuǎn)后形成均勻的膠膜。光刻膠的技術(shù)復(fù)雜,按照其化學(xué)反應(yīng)機(jī)和顯影原理,可分為負(fù)性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質(zhì)的為負(fù)性膠;反之,對(duì)某些溶劑是不可溶的,經(jīng)過(guò)光照后變成可溶物質(zhì)的是正性膠。