EsD以極高的強度很迅速地發(fā)生,放電電流流經(jīng)LED的PN結(jié)時,產(chǎn)生的焦耳熱使芯片PN兩極之間局部介質(zhì)熔融,造成PN結(jié)短路或漏電,對失效器件解剖分析,K4D261638I-LC50一般在高倍金相顯微鏡下,可以觀察到引起即時的和不可逆轉(zhuǎn)的損壞擊穿點,但是受到解剖手段和器件封裝材料的限制,經(jīng)常因為芯片污染或機械損傷等原囚,而不能確定擊穿點。反向放電時,電流較正向放電集中,功率密度大,囚此LED反向放電EsD失效閾值較正向低得多。

   器件在EsD性能測試和檢驗時,主要測量反向放電所承受的電壓。為防止抗靜電放電能力不強的或已經(jīng)靜電放電損傷的器件流入市場,對后序設(shè)備和產(chǎn)品的進一步損害,所有的發(fā)光二極管成品在出廠前都要經(jīng)過靜電放電測試,以確保其ESD性能正常。由于器件品種,功能,生產(chǎn)廠家都存在很大差異,為確保ESD性能的良好和一致,統(tǒng)一的靜電放電測試標準就格外重要。