測(cè)量一只4N35型光電耦合器
發(fā)布時(shí)間:2016/11/22 19:52:10 訪問次數(shù):868
實(shí)例:測(cè)量一只4N35型光電耦合器,它屬于通用型光電耦合器,采 用雙列直插式封 裝,共有6個(gè)引出端。H5PS1G83KFR-S6C其中,靠近黑圓點(diǎn)的引腳為第1腳,第3腳是空腳(NC)。
(1)檢查發(fā)射管。選擇500型萬(wàn)用表的R×100擋及R×lk擋,按照?qǐng)D2-⒛的電路首先測(cè)量發(fā)射管正向電阻,然后交換表筆再測(cè)反向電阻。測(cè)量數(shù)據(jù)列于表⒉4中。
(2)檢查接收管。將黑表筆固定接B極,紅表筆依次接C極和E極,測(cè)量的電阻值都很小。交換表筆位置后,電阻均為無(wú)窮大。另外測(cè)得C―E間電阻呈無(wú)窮大,證明穿透電流幾E。=0。測(cè)量數(shù)據(jù)列于表2-4中。
(3)檢查絕緣電阻及絕緣電壓。首先用R×10k擋測(cè)量腳1與腳6之間、腳2和腳6之間的絕緣電阻,都是無(wú)窮大。然后用ZC11-5型兆歐表提供z~sO0Ⅴ的測(cè)試電壓‰c,絕緣電阻應(yīng)大于100O0MΩ(即10iOΩ)。
實(shí)例:測(cè)量一只4N35型光電耦合器,它屬于通用型光電耦合器,采 用雙列直插式封 裝,共有6個(gè)引出端。H5PS1G83KFR-S6C其中,靠近黑圓點(diǎn)的引腳為第1腳,第3腳是空腳(NC)。
(1)檢查發(fā)射管。選擇500型萬(wàn)用表的R×100擋及R×lk擋,按照?qǐng)D2-⒛的電路首先測(cè)量發(fā)射管正向電阻,然后交換表筆再測(cè)反向電阻。測(cè)量數(shù)據(jù)列于表⒉4中。
(2)檢查接收管。將黑表筆固定接B極,紅表筆依次接C極和E極,測(cè)量的電阻值都很小。交換表筆位置后,電阻均為無(wú)窮大。另外測(cè)得C―E間電阻呈無(wú)窮大,證明穿透電流幾E。=0。測(cè)量數(shù)據(jù)列于表2-4中。
(3)檢查絕緣電阻及絕緣電壓。首先用R×10k擋測(cè)量腳1與腳6之間、腳2和腳6之間的絕緣電阻,都是無(wú)窮大。然后用ZC11-5型兆歐表提供z~sO0Ⅴ的測(cè)試電壓‰c,絕緣電阻應(yīng)大于100O0MΩ(即10iOΩ)。
熱門點(diǎn)擊
- 外部程序存儲(chǔ)器的選通信號(hào)
- 范德瓦爾斯結(jié)合(范德瓦爾斯鍵)
- 鑒別晶閘管的三個(gè)極
- 顏色匹配實(shí)驗(yàn)原理
- Array(陣列)工序
- 半導(dǎo)體材料可形成良好的n型和p型摻雜
- 光電耦合器的電流傳輸比
- 光強(qiáng)的空間分布
- LED燈具產(chǎn)品電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)
- 晶面指數(shù)和晶向指數(shù)
推薦技術(shù)資料
- 滑雪繞樁機(jī)器人
- 本例是一款非常有趣,同時(shí)又有一定調(diào)試難度的玩法。EDE2116AB... [詳細(xì)]
- 新一代產(chǎn)品RL7
- 雙端口靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)
- 512kB – 1MB 閃存和 256kB
- 480MHz Arm Cortex-M85圖
- RGB 和 MIPI-DSI
- RA 系列的Arm 微控制器 (MCU)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究