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額定通態(tài)平均電流

發(fā)布時(shí)間:2016/11/22 20:28:27 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):2141

      △(Av)(JF(Av))指在雙面冷卻條件下,保證散H5TC4G63MFR-H9A熱器溫度為55℃時(shí),允許元器件流過(guò)的最大正弦半波電流平均值!階v)(JF(Av))對(duì)應(yīng)元器件額定有效值fR鸝=1.57rΓ(Av)。在實(shí)際使用中,若不能保證散熱器溫度低于55℃或散熱器與元器件接觸熱阻遠(yuǎn)大于規(guī)定值,則元器件應(yīng)降額使用。

   晶閘管通態(tài)電流上升率d∥dr

   參數(shù)表中所給的為元器件通態(tài)電流上升率的臨界重復(fù)值,其對(duì)應(yīng)不重復(fù)測(cè)試值為重復(fù)值的2倍以上,在使用過(guò)程中,必須保證在元器件導(dǎo)通時(shí)的電流上升率都不能超過(guò)其重復(fù)值。

   晶閘管使用頻率

   晶閘管可工作的最大使用頻率由其工作時(shí)的電流脈沖寬度Jp′關(guān)斷時(shí)間莎vT及從關(guān)斷后承受正壓開(kāi)始至其再次開(kāi)通的時(shí)間莎v決定,即凡ax=1/(莎Ⅶ+莎p+砂V)。根據(jù)工作頻率選取元器件時(shí)必須保證元器件從正向電流過(guò)零至開(kāi)始承受正壓的時(shí)間間隔砂H>JⅦ,并留有一定的余量。隨著工作頻率的升高,元器件正向損耗E¢和反向恢復(fù)損耗E嚴(yán)隨之升高,元器件通態(tài)電流應(yīng)降額使用。

      △(Av)(JF(Av))指在雙面冷卻條件下,保證散H5TC4G63MFR-H9A熱器溫度為55℃時(shí),允許元器件流過(guò)的最大正弦半波電流平均值!階v)(JF(Av))對(duì)應(yīng)元器件額定有效值fR鸝=1.57rΓ(Av)。在實(shí)際使用中,若不能保證散熱器溫度低于55℃或散熱器與元器件接觸熱阻遠(yuǎn)大于規(guī)定值,則元器件應(yīng)降額使用。

   晶閘管通態(tài)電流上升率d∥dr

   參數(shù)表中所給的為元器件通態(tài)電流上升率的臨界重復(fù)值,其對(duì)應(yīng)不重復(fù)測(cè)試值為重復(fù)值的2倍以上,在使用過(guò)程中,必須保證在元器件導(dǎo)通時(shí)的電流上升率都不能超過(guò)其重復(fù)值。

   晶閘管使用頻率

   晶閘管可工作的最大使用頻率由其工作時(shí)的電流脈沖寬度Jp′關(guān)斷時(shí)間莎vT及從關(guān)斷后承受正壓開(kāi)始至其再次開(kāi)通的時(shí)間莎v決定,即凡ax=1/(莎Ⅶ+莎p+砂V)。根據(jù)工作頻率選取元器件時(shí)必須保證元器件從正向電流過(guò)零至開(kāi)始承受正壓的時(shí)間間隔砂H>JⅦ,并留有一定的余量。隨著工作頻率的升高,元器件正向損耗E¢和反向恢復(fù)損耗E嚴(yán)隨之升高,元器件通態(tài)電流應(yīng)降額使用。

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