IGBT模塊參數(shù)
發(fā)布時間:2016/11/25 21:14:47 訪問次數(shù):853
IGBT模塊型號、參數(shù)。
(1)電流值。電流值指P54T5-030集電極直流(連續(xù))電流。
(2)內(nèi)部連接方式。T:橋臂連接。L:低端連接。H:高端連接。D:單管結(jié)構(gòu)。
(3) 封裝形紡弋。 A: AˉA-pak。 S: In⒈A-pak。 D: DⅤ止Int-A-pak。
(4)電壓量。電壓量為集電極一發(fā)射極電壓值×10(Ⅴ)。
(5)類型。Ⅴ型:超快速型。Κ型:具有短路能力的超快速NPT型。
IGBT模塊性能參數(shù)
單開關型IGBT模塊
GA系列單開關型IGBT模塊的電氣參數(shù)為:叱Es=ω0Ⅴ、1200Ⅴ,Jc=⒛0~gO0A,σIs。=笏00Ⅴ(RMS),其性能參數(shù)見表⒋1。GA系列單開關型IGBT模塊的內(nèi)部接線如圖4-5所示。
IGBT模塊型號、參數(shù)。
(1)電流值。電流值指P54T5-030集電極直流(連續(xù))電流。
(2)內(nèi)部連接方式。T:橋臂連接。L:低端連接。H:高端連接。D:單管結(jié)構(gòu)。
(3) 封裝形紡弋。 A: AˉA-pak。 S: In⒈A-pak。 D: DⅤ止Int-A-pak。
(4)電壓量。電壓量為集電極一發(fā)射極電壓值×10(Ⅴ)。
(5)類型。Ⅴ型:超快速型。Κ型:具有短路能力的超快速NPT型。
IGBT模塊性能參數(shù)
單開關型IGBT模塊
GA系列單開關型IGBT模塊的電氣參數(shù)為:叱Es=ω0Ⅴ、1200Ⅴ,Jc=⒛0~gO0A,σIs。=笏00Ⅴ(RMS),其性能參數(shù)見表⒋1。GA系列單開關型IGBT模塊的內(nèi)部接線如圖4-5所示。
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