新技術(shù)開(kāi)發(fā)
發(fā)布時(shí)間:2016/11/25 21:40:44 訪問(wèn)次數(shù):460
在R系列IPM開(kāi)發(fā)中使用了如下新技術(shù)。
(1)SOI(⒌hcc,n On Inmlator)技術(shù)PBSS5350SS被應(yīng)用在制造IGBT的溫度檢測(cè)組件上。
(2)混合式仿真技術(shù)被應(yīng)用在改變IGBT和£特性以獲得最優(yōu)化控制IC的設(shè)計(jì)中。
(3)為解決噪聲和電源電壓波動(dòng)問(wèn)題,開(kāi)發(fā)了對(duì)電源波動(dòng)能做出迅速反應(yīng)的£和控制輸入阻抗電路;開(kāi)發(fā)了一個(gè)專用℃,大大減少了IPM組件的數(shù)量,同時(shí)也大大減少了驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路的寄生電容和電感。IC中安裝了一個(gè)非常精確的高速過(guò)流限制電路,以改善負(fù)載短路時(shí)的過(guò)流保護(hù)功能。
(4)開(kāi)發(fā)了優(yōu)化控制開(kāi)關(guān)時(shí)dIt/dr和亂/t1r的驅(qū)動(dòng)電路,以達(dá)到很低的噪聲電平。
在R系列IPM開(kāi)發(fā)中使用了如下新技術(shù)。
(1)SOI(⒌hcc,n On Inmlator)技術(shù)PBSS5350SS被應(yīng)用在制造IGBT的溫度檢測(cè)組件上。
(2)混合式仿真技術(shù)被應(yīng)用在改變IGBT和£特性以獲得最優(yōu)化控制IC的設(shè)計(jì)中。
(3)為解決噪聲和電源電壓波動(dòng)問(wèn)題,開(kāi)發(fā)了對(duì)電源波動(dòng)能做出迅速反應(yīng)的£和控制輸入阻抗電路;開(kāi)發(fā)了一個(gè)專用℃,大大減少了IPM組件的數(shù)量,同時(shí)也大大減少了驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路的寄生電容和電感。IC中安裝了一個(gè)非常精確的高速過(guò)流限制電路,以改善負(fù)載短路時(shí)的過(guò)流保護(hù)功能。
(4)開(kāi)發(fā)了優(yōu)化控制開(kāi)關(guān)時(shí)dIt/dr和亂/t1r的驅(qū)動(dòng)電路,以達(dá)到很低的噪聲電平。
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