IR2I10是一種雙通道高壓、高速電RDC1740-413B壓型功率開(kāi)關(guān)器件柵極驅(qū)動(dòng)器,具有自舉浮動(dòng)電源,驅(qū)動(dòng)電路非常簡(jiǎn)單,只用一路電源即可同時(shí)驅(qū)動(dòng)上、下橋臂。但I(xiàn)R2110芯片有它本身的缺陷,即不能產(chǎn)生負(fù)壓,且在抗干擾方面比較薄弱.

   IR2110的主要特點(diǎn)及功能原理

   IR2110采用14端DIP封裝,其引出端排列如圖⒋9(a)所示,內(nèi)部功能原理框圖如圖⒋9(b)所示。I”110各引出端的功能分別是:1端(L0)是低端輸出通道;2端(C0M)是公共端;3端(Ucc)是低端固定電源電壓;5端(Us)是高端浮置電源偏移電壓;6端(UB)是高端浮置電源電壓;7端(H0)是高端輸出通道;9端(UDD)是邏輯電路電源電壓;10端(HIN)、11端(SD)、12端(I`IN)均是邏輯輸人;I3端(1Jˉhs)是邏輯電路地電位端外加電源電壓,其值可以為0Ⅴ;4端、8端、14端均為空端。

   IR2110驅(qū)動(dòng)器由邏輯輸人、電平轉(zhuǎn)換、保護(hù)、上橋臂側(cè)輸出和下橋臂側(cè)輸出等單元電路構(gòu)成。邏輯輸人端采用施密特觸發(fā)電路,可提高抗干擾能力。輸入邏輯電路與叩t/C0MS電平兼容,其輸人引腳閾值為電源電壓UDD的10%,各通道相對(duì)獨(dú)立。由于邏輯信號(hào)均通過(guò)電平耦合電路連接到各自的通道上,所以允許邏輯電路參考地(Uss)與功率電路參考地(C0M)之閘有-5~+5Ⅴ的偏移量,并且能屏蔽小于50m的脈沖,這樣便具有較理想的抗噪聲效果。兩個(gè)高壓MOs管推挽驅(qū)動(dòng)器的最大灌入或輸出電流可達(dá)2A,上橋臂通道可以承受500Ⅴ的電壓。輸人與輸出信號(hào)之間的傳導(dǎo)延時(shí)較小,開(kāi)通傳導(dǎo)延時(shí)為120ns,關(guān)斷傳導(dǎo)延時(shí)為%m。電源端【Jcc的典型值為15Ⅴi邏輯電源和模擬電源共用一個(gè)15Ⅴ電源,邏輯地和模擬地接在一起。輸出端設(shè)有對(duì)驅(qū)動(dòng)器電源的欠壓保護(hù),當(dāng)電壓小于8.2Ⅴ時(shí),封鎖驅(qū)動(dòng)輸出。

   IR2110采用HⅤ1C和閂鎖抗干擾CMOS△藝制作,具有獨(dú)立的高端和低端輸出通道;浮置電源采用自舉電路,其高端I作電壓可達(dá)500V,dv/d苫=±50V/ns,在15V下的靜態(tài)功耗僅有1.6mw;輸出的柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍為10~⒛Ⅴ,邏輯電源電壓范圍為5~15Ⅴ,邏輯電源地電壓偏移范圍為-5~+5Ⅴ。