PIC的一種典型代表產(chǎn)品為IR公司的I”110、IR2130系列功率MOs柵驅(qū)動(dòng)⒗。IR2110、I肥130在500Ⅴ或ω0Ⅴ電壓下I作,最大峰值電流為2A, PC357B工作頻率為500kHz,可承受大于±50Ⅴ/ns的高dⅡ/dJ。新推出的IR2233、IR2235的工作電壓可高達(dá)12OOⅤ,輸出驅(qū)動(dòng)電流0.4A。同時(shí),IR公司最近還推出了命名為ICRICT113,用于太空應(yīng)用的一種高壓抗輻射加固的功率MOS驅(qū)動(dòng),其工作電壓為硐0Ⅴ,可承受100kRAD的輻射劑量而不會(huì)出現(xiàn)性能下降的情況。sPIC總的技術(shù)發(fā)展趨勢是工作頻率更高、功率更大、功耗更低和功能更全。目前,sPIC的主要研究內(nèi)容為

   (1)開發(fā)高成品率、低成本I藝且兼容于CMOS的研究;

   (2)針對(duì)包括多個(gè)大功率器件的單片sPIC的研究;

   (3)能在高溫下△作并具有較好堅(jiān)固性的SPIC的研究:

   (4)大電流高速M(fèi)OS控制并有自保護(hù)功能的橫向功率器件的研究。叩IC的下一個(gè)目標(biāo)是將多個(gè)高壓、大電流功率器件與低壓電路集成在同一芯片上,使之具各系統(tǒng)功能,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)單片式功率系統(tǒng)的集成。最近,陳星弼院士提出了一種與CMOS工藝完全兼容的新的橫向耐壓結(jié)構(gòu),這種全兼容的新功率器件為第二次電子革命的真正到來奠定了基礎(chǔ)。