在超音頻(10~100kHz)范圍內(nèi),由于晶閘管本身開關(guān)特性等參數(shù)的限制,給研G2R1E制該頻段的電源帶來了很大的技術(shù)難度。而在歐美,由于SIT存在高通態(tài)損耗(⒊T工作于非飽和區(qū))等缺陷,其高頻功率器件以MOSFET為主。隨著MOSFET功率器件的模塊化、大容量化,MOsFET高頻感應(yīng)加熱電源的容量得到了飛速發(fā)展。西班牙采用MOSFET的電流型感應(yīng)加熱電源制造水平達(dá)ω0kW、硐0kHz;德國在1989年研制的電流型MOSFET感應(yīng)加熱電源水平達(dá)480kW、50~⒛0kHz;比利時Inducto Eiphac公司生產(chǎn)的電流型MOSFET感應(yīng)加熱電源水平可達(dá)1000kW、15~ω0kHz。浙江大學(xué)在⒛世紀(jì)⒇年代研制出⒛kW、3OOkHz MOSFET高頻電源,已被成功應(yīng)用于小型刀具的表面熱處理和飛機(jī)渦輪葉片的熱應(yīng)力考核。

   中頻電源的逆變器主要有并聯(lián)逆變器和串聯(lián)逆變器,串聯(lián)逆變器輸出可等效為一低阻抗的電壓源,當(dāng)兩電壓源并聯(lián)時,相互間的幅值、相位和頻率不同或波動時將導(dǎo)致很大的環(huán)流,以至逆變器件的電流產(chǎn)生嚴(yán)重不均,因此,串聯(lián)逆變器存在并機(jī)擴(kuò)容困難的問題。而并聯(lián)逆變器輸入端的直流大電抗器可充當(dāng)各并聯(lián)逆變器之間的電流緩沖環(huán)節(jié),使得輸人端的AG/DG或D00G環(huán)節(jié)有足夠的時間來糾正直流電流的偏差,達(dá)到多機(jī)并聯(lián)擴(kuò)容的目的。晶體管化超音頻、高頻電流多采用并聯(lián)逆變器結(jié)構(gòu),并聯(lián)逆變器易于模塊化、大容量化是其中的一個主要原因。