對于抗噪能力弱、P06P03LV開關(guān)時(shí)電流變化大的器件,如RAM、RoM存儲器件,應(yīng)在芯片的電源線和地線之間直接接人去耦電容。

   電容引線不能太長,尤其是高頻旁路電容不能有引線,應(yīng)使用貼片陶瓷電容。

   去耦電容值的選取并不嚴(yán)格,可按C〓1〃計(jì)算:即10MHz的電路取0.1uF。

   對微控制器構(gòu)成的系統(tǒng),取0.1~0.01uF之間都可以。好的高頻去耦電容可以去除高達(dá)1GHz的高頻成分。陶瓷片電容或多層陶瓷電容的高頻特性較好。此外,還應(yīng)注意以下兩點(diǎn)。

   在印制板中有接觸器、繼電器、按鈕等元器件時(shí),操作它們時(shí)均會產(chǎn)生較大火花放電,必須采用RC吸收電路來吸收放電電流,一般R取1~2kΩ,C取2.2~4.7uFoCMOs電路的輸入阻抗很高,且易受感應(yīng),因此在使用時(shí)對不用端要通過電阻接地或接電源,不允許懸空。