“超越摩爾定律”已成為封裝文獻(xiàn)的口頭禪。它指出隨著晶體管按比例縮小，集成電ADC081C021CIMK+路的密度正在最大限度地達(dá)到物理極限。公認(rèn)的“超越摩爾定律”意味著在一個(gè)封裝體內(nèi)封裝更多功能的技術(shù)，即通常所說的系統(tǒng)級(jí)封裝( SIP)。行業(yè)正在開發(fā)基于兩種基本方法的眾多方法：堆疊芯片和堆疊封裝體[封裝體上封裝體(PoP)]。

   芯片疊層技術(shù)

   4種芯片疊層技術(shù)：?jiǎn)纹? monolithic)、晶圓上品圓(Wafer-on．Wafer)、晶圓上芯片( Die-on-Wafer)和芯片上芯片(Die-on-Die)。

   單片：?jiǎn)纹夹g(shù)是在晶圓制造過程中建立多個(gè)電路層。每個(gè)電路層之間使用金屬塞或多個(gè)金屬層通過技術(shù)。

   晶圓上晶圓：具有不同電路的單個(gè)晶圓被減薄，凸點(diǎn)或焊球鍵合在一起。3D分離把三維堆疊的全部互連。有些系統(tǒng)利用鉆通孔或刻蝕穿透晶圓使其可以鍵合，稱為穿透硅通孑L( TSV)。其他排列將不同尺寸芯片引線鍵合到封裝體的基板；另一個(gè)方案是對(duì)于凸點(diǎn)或焊球鍵合單個(gè)晶圓，和對(duì)于封裝體的額外的連接也使用引線鍵合。

   晶圓上芯片：來自一個(gè)晶圓的芯片被鍵合到另一個(gè)芯片分離前晶圓在芯片上的位置。連接是通過穿透硅通孔和凸點(diǎn)／球焊簡(jiǎn)化的。

   芯片上芯片：來自分離晶圓的芯片被劃成小塊，并通過TSV和凸點(diǎn)／焊球鍵合到一個(gè)集成的疊層上。這個(gè)方案的優(yōu)點(diǎn)是更高的封裝良品率，因?yàn)檫M(jìn)入到這個(gè)封裝過程的單個(gè)芯片是已知的合格芯片。