實(shí)際上,E111彐晶向就是(1l1)晶面的法線方向,也可以用E111彐晶向來(lái)表示(111)晶面。G2R-2-DC12V同理,E100]晶向是(100)晶面的法線方向,E110]晶向是(110)晶面的法線方向。

   硅晶體的不同晶向和晶面上,原子排列情況不同。圖⒈5所示是硅的晶體結(jié)構(gòu),由晶體結(jié)構(gòu)可以得到各個(gè)晶向和晶面上的原子分布情況。

   圖⒈6所示是硅晶體中E100彐、E110]、E1Ⅱ彐晶向上硅原子分布示意圖。這3個(gè)晶向上單位長(zhǎng)度內(nèi)的原子數(shù)目可以計(jì)算得出,即硅的原子線密度。

   E100]晶向硅原子線密度為1/曰;E110彐晶向硅原子線密度為l,4/〃;[111]晶向硅原子線密度為1.15肋。由此可知E110彐晶向的硅原子線密度最大。圖17所示是硅晶體中(100)、(110)和(1n)晶面上原子分布示意圖。晶體中某晶面上單位面積原子的個(gè)數(shù)稱為原子面密度。

   在(100)晶面上,每個(gè)晶胞里,位于角上的原子為4個(gè)相鄰晶胞的(100)晶面所共有,而位于面心上的原子只為這一個(gè)晶胞所有,那么,在面積為/的(100)晶面上的原子數(shù)是2,原子面密度為2/'。在(110)晶面上,每個(gè)晶胞里,位于角上的原子為4個(gè)相鄰晶胞的(110)晶面所共有,位于晶面邊上的每個(gè)原子為2個(gè)相鄰晶胞的(110)晶面所共有,只有面內(nèi)的2個(gè)原子才是該晶面獨(dú)有的。這樣,在面積為√,夕2的(110)晶面上的原子數(shù)是4,原子面密度為2.8/'。在(111)晶面上,每個(gè)晶胞里,位于角上的原子為4個(gè)相鄰晶胞的(111)晶面所共有,而位于晶面邊上的原子為2個(gè)相鄰晶胞的(111)晶面所共有,只有面內(nèi)的2個(gè)原子才是該晶面獨(dú)有的。那么,在面積為福α2的(111)晶面上原子數(shù)是4,原子面密度為2.3a。