硅中點(diǎn)缺陷與摻雜原子之間的相互作用對(duì)雜質(zhì)擴(kuò)散會(huì)產(chǎn)生影響。第一類要MAX8550ETI+T考慮的點(diǎn)缺陷是由于硅中存在其他原子(雜質(zhì)原子)而產(chǎn)生的缺陷。一個(gè)位于品格上的雜質(zhì)原子稱為替位雜質(zhì),即使不小

于也不大于硅原子,也會(huì)對(duì)周期晶格產(chǎn)生局域擾動(dòng)。任何對(duì)周期晶格形成的擾動(dòng)都稱為“缺陷”。同金屬情況不一樣,在半導(dǎo)體中的點(diǎn)缺陷是荷電的。例如,在硅晶體中存在空位會(huì)產(chǎn)生4個(gè)不飽和的鍵,這些鍵接受電子而使其飽和。因此,空位的電行為趨向于類受主c原則上,在禁帶內(nèi)可能有4個(gè)能量一個(gè)比一個(gè)高的能級(jí)。類似地,在硅中,問隙原子有類施主行為。

   在硅集成電路制造中常用的摻雜原子主要以替位形式存在、而且是淺能級(jí)雜質(zhì).因此在室溫下基本會(huì)全部電離,也就是說或者向?qū)ж暙I(xiàn)一個(gè)電子,或者向價(jià)帶貢獻(xiàn)一個(gè)空穴。既然摻雜原子(離子)

是帶電的,那么它們一定會(huì)與其他荷電體(如晶格點(diǎn)缺陷、自由載流子)本目互作用,也必然會(huì)對(duì)擴(kuò)散產(chǎn)生影響。

    為了說明荷電缺陷對(duì)半導(dǎo)體中雜質(zhì)擴(kuò)散的影響,研究涉及空位的替位擴(kuò)散情況。假設(shè)除了中性空位V。空位還能看成為分別是帶一個(gè)正電荷、一個(gè)負(fù)電荷、兩個(gè)負(fù)電荷和工個(gè)負(fù)電荷的空位。這些空位同擴(kuò)散雜質(zhì)離子的相互作用是不同的。對(duì)于每一種雜質(zhì)一空位的復(fù)合體,將有不同的激活能和擴(kuò)散常數(shù)。假如每種復(fù)合體是獨(dú)立的,在本征條件下,擴(kuò)散系數(shù)可表示為本征擴(kuò)散系數(shù);為非本征條件下各種荷電空位的原子百分率;為本征條件下各種荷電空位的原子百分率。空位運(yùn)動(dòng)的擴(kuò)散系數(shù)和激活能都與空位的荷電狀態(tài)有關(guān)。