化學束外延(Chcmicd Beam Epitaxy,CBE)是⒛世紀80年代中期發(fā)展起來的。它綜合MAX1957EUB+了MBE的超高真空條件下的束流外延可以原位監(jiān)測及MOC`⊙的氣態(tài)源等優(yōu)點。與CBE相關(guān)的還有氣態(tài)源分子束外延(GSMBE)和金屬有機化合物分子束外延(MOMBE)。它們之的主要區(qū)別是采用的氣態(tài)源的情況不同。

   以ⅢV族化合物半導體外延生長為例,GSMBE是用氣態(tài)的V族氫化物(AsH3、PH3等)取代MBE的固態(tài)As、P作源材料,AsH3、PH3等通過高溫裂解形成砷、磷分子;MC)MBE則是用Ⅲ族金屬有機化合物.如TEG、TMA(三甲基鋁)等作為源材料,它們的氣態(tài)分子經(jīng)熱分解形成Ga、Al等原子;CBE則是V族和Ⅲ族源均采用上述的氣態(tài)源。摻雜源可以用固態(tài),也可以用氣態(tài)。CBE的生長過程是Ⅲ族金屬有機化合物分子射向加熱襯底表面、熱分解成Ⅱ族原子和碳氫分子根.再與經(jīng)高溫裂解后形成和到達襯底的Ⅴ族原子反應,其生長速率取決于襯底溫度和Ⅲ族金屬有機化合物分子的到達速率。