分凝系數(shù)是衡量分凝效應(yīng)強(qiáng)弱的參數(shù),不同雜質(zhì)在s/sQ系統(tǒng)中的分凝系數(shù)是不相同的。如果ONET4201PARGTR假設(shè)硅中的雜質(zhì)分布是均勻的,而且氧化氣氛中又不含有任何雜質(zhì)的條件下,則K(1意味著經(jīng)熱氧化之后,雜質(zhì)在靠近⒏/Si02界面處的s02中的濃度高于靠近界面處s中的濃度。在界面處雜質(zhì)由襯底s向歟為層內(nèi)擴(kuò)散,造成s側(cè)界面處雜質(zhì)濃度C低于襯底硅濃度G,相當(dāng)于在界面處硅側(cè)雜質(zhì)的耗竭。屬于這種類型的雜質(zhì)有B(K:=0,3)、川(KN=0,1)。如果Κ>1,則經(jīng)熱氧化之后,雜質(zhì)在靠近⒊塌Q界面處的s中的濃度高于靠近界面處廴【中的濃度。在s/s(先界面處雜質(zhì)源于襯底s向sq層內(nèi)擴(kuò)散,但硅側(cè)雜質(zhì)濃度高于sQ,雜質(zhì)傾向于在硅中擴(kuò)散,造成在s/sC凡界面處硅內(nèi)一側(cè)堆積。

    屬于這種類型的雜質(zhì)有P(Ikˉp=10)、As“廴=10),⒍(Kj=20),但鎵在so的擴(kuò)散速率非�？�,使分布情況變得更為復(fù)雜。

   硼在s/siC)2系統(tǒng)中的分凝系數(shù)隨溫度上升而增大,而且還與晶面取向有關(guān),(100)面的分凝系數(shù)在0.1~1之間,在特殊情況下也可能大于1。少量的水汽就能對(duì)硼的分凝系數(shù)產(chǎn)生很大的影響.所以要嚴(yán)格控制氧化條件。當(dāng)含有20ppm水汽時(shí),干氧氧化的分凝系數(shù)接近濕氯值。如果在氧化過程中對(duì)干氧氣氛沒有特殊的干燥措施,這種情況下的分凝系數(shù)幾乎和濕氧一樣。圖⒋23給出的是在各種不同氧化類型中,硼在硅中的分凝系數(shù)與溫度的關(guān)系。圖中的“接近十氧”是指沒有經(jīng)過特殊除 水處理的干氧氧化。

   分凝效應(yīng)在芯片生產(chǎn)中如控制不當(dāng)會(huì)產(chǎn)生不利影響,但也可用來調(diào)節(jié)表面濃度和方塊電阻,給I藝控制增加了靈活性。