雜質(zhì)在s02中的擴(kuò)散,如果擴(kuò)散系數(shù)大,則雜質(zhì)迅速地通過⒏O2擴(kuò)散,影響s/si()2界面附近的雜質(zhì)分布。ONET8501VRGPT擴(kuò)散速率與界面移動(dòng)速率之比,也會(huì)影響⒏/Si()2界面雜質(zhì)分布;而雜質(zhì)在so層中及表面的逸散造成雜質(zhì)在⒏/SK)2界面及⒊O2表面處分布狀況也較為復(fù)雜。綜其影響,4種不同的雜質(zhì)再分布情況如圖⒋2迮所示:K(l,在Sl02中是慢擴(kuò)散的雜質(zhì),也就是說在分凝過程中雜質(zhì)通過sO2表面的損失很少,硼就是屬于這類,再分布之后靠近界面處的⒏O?中的雜質(zhì)濃度比s中高,硅表面附近的濃度下降,如圖⒋2砼(a)所示;Κ<l,在⒏O?中是快擴(kuò)散的雜質(zhì),因?yàn)榇罅康碾s質(zhì)通過⒊02表面跑到氣體中去,雜質(zhì)損失非常厲害,使sO2中的雜質(zhì)濃度比較低,但叉要保證界面兩邊的雜質(zhì)濃度比小于1,使硅表面的雜質(zhì)濃度幾乎降到零,如圖⒋~90(b)所示,在H2氣氛中的硼就屬于這種情況;Κ>1,在sC先中慢擴(kuò)散的雜質(zhì),再分布之后硅表面附近的雜質(zhì)濃度升高,如圖⒋24(c)所示,磷就屬于這種雜質(zhì);K)l,在sC先中是快擴(kuò)散的雜質(zhì),在這種情況下,雖然分凝系數(shù)大于1,但囚大量雜質(zhì)通過sQ表面進(jìn)人氣體中而損失,硅中雜質(zhì)只能不斷地進(jìn)人⒏0中,才能保持界面兩邊雜質(zhì)濃度比等于分凝系數(shù),最終使硅表面附近的雜質(zhì)濃度比體內(nèi)還要低,如圖⒋24(d)所示,鎵就是屬于這種類型的雜質(zhì)。

    對(duì)于Κ=1,而且也沒有雜質(zhì)從⒊02表面逸散的情況,熱氧化過程也同樣使硅表面雜質(zhì)濃度降低。這是因?yàn)橐粋�(gè)體積的硅經(jīng)過熱氧化之后轉(zhuǎn)變?yōu)閮蓚�(gè)多體積的sG,因此,要使界面兩邊具有相等的雜質(zhì)濃度(Κ=l),雜質(zhì)必定要從高濃度硅中向低濃度⒊O2中擴(kuò)散,也就是說,硅中要消耗一定數(shù)量的雜質(zhì),以補(bǔ)償增加的⒏o2體積所需要的雜質(zhì)。