圖⒋26所示是熱氧化后硅片中硼的表面濃度,它代表的含義是均勻摻硼的硅片,經(jīng)無摻OPA2211AIDRGT雜干氧和水汽氧化之后,硅表面濃度Cs與硅內濃度咣之比隨氧化溫度變化關系的計算結果,其中硼的分凝系數(shù)按0,3計算。由圖可見,在相同溫度下,快速的水汽氧化所引起的再分布程度高于干氧氧化,即水汽氧化的Cs/咣小于干氧氧化。同樣也可以看到,不論是水汽氧化,還是干氧氧化,Cs/G都隨溫度的升高而變大,這是因為擴散速率加快而補償了硅表面雜質的損耗。

   圖⒋26 熱氧化后硅片中硼的表面濃度

   另外,再分布也使由硅表面到硅內一定范圍內的雜質分布受到影響。受影響的程度和深度與被擾動的范圍有關。受擾動范圍的大小近似地等于雜質擴散長度√0r。圖⒋27給出的是計算得到的

在不同溫度下氧化后硅中硼的分布曲線,每次氧化厚度均控制在0,2um。上面討淪的是均勻摻雜的硅片經(jīng)熱氧化后的雜質再分布情況。而實際情況并不一定是均勻摻雜,因此再分布之后的情況變得更復雜。