高純的三氯乙烯在常溫下是液體,可直接用氮氣、氨氣或氧氣攜帶進人反應室,系統(tǒng)中的TCE量由源溫、源氣體流量等來調節(jié)。但TCE的飽和蒸氣壓隨源溫而變化,MAX1908ETI所以在氧化過程中源溫要恒定。在一定的源溫下選取適當的源氣體流量來滿足I藝要求。TCE氧化過程與一個簡單的具有恒定氯源的氯在氧化硅中的擴散過程十分類似,這個氯在氧化硅中的擴散是指它在氧化層中的積累。假如反應室中氯分壓恒定,就相當于恒定表面源擴散,氯在sO2中的積累量與氯在⒊O2中的擴散系數和擴散時問有關。當TCE源溫不變、流量比一定時,則氧化溫度越高、時間越長,摻入SlO2中的氯就越多。因此結合進氧化層中的氯是與源溫、攜源氣體和氧化氣體的流量比、氧化溫度和時間等有關。適當調節(jié)這些參數就能得到較好的摻氯氧化膜。

   氧化膜中的氯基本上集中在⒊/Si()2界面⒊02一側,這正是固定氧化物電荷分布的區(qū)域。界面附近高密度的氯離子填補了氧空位,從而降低了SI/sio2系統(tǒng)中的固定氧化物電荷密度及界面附近電荷密度。氯在氧化膜中的行為是比較復雜的,從實驗觀察分析認為有以下幾種情況:①氯是負離子,在氧化膜中集中必然造成負電荷中心,它與正電荷的離子起中和作用;②它能在氧化膜中形成某些陷阱態(tài)來俘獲可動離子;③堿金屬離子和重金屬離子能與氯形成蒸氣壓高的氯化物而被除去;④在氧化膜中填補氧空位,與硅形成⒏―Cl鍵或s―O―C1復合體。所有這些都會對氧化膜及其下面的硅的性質有顯著的影響。