高純的三氯乙烯在常溫下是液體,可直接用氮?dú)�、氨氣或氧氣攜帶進(jìn)人反應(yīng)室,系統(tǒng)中的TCE量由源溫、源氣體流量等來(lái)調(diào)節(jié)。但TCE的飽和蒸氣壓隨源溫而變化,MAX1908ETI所以在氧化過(guò)程中源溫要恒定。在一定的源溫下選取適當(dāng)?shù)脑礆怏w流量來(lái)滿足I藝要求。TCE氧化過(guò)程與一個(gè)簡(jiǎn)單的具有恒定氯源的氯在氧化硅中的擴(kuò)散過(guò)程十分類(lèi)似,這個(gè)氯在氧化硅中的擴(kuò)散是指它在氧化層中的積累。假如反應(yīng)室中氯分壓恒定,就相當(dāng)于恒定表面源擴(kuò)散,氯在sO2中的積累量與氯在⒊O2中的擴(kuò)散系數(shù)和擴(kuò)散時(shí)問(wèn)有關(guān)。當(dāng)TCE源溫不變、流量比一定時(shí),則氧化溫度越高、時(shí)間越長(zhǎng),摻入SlO2中的氯就越多。因此結(jié)合進(jìn)氧化層中的氯是與源溫、攜源氣體和氧化氣體的流量比、氧化溫度和時(shí)間等有關(guān)。適當(dāng)調(diào)節(jié)這些參數(shù)就能得到較好的摻氯氧化膜。

   氧化膜中的氯基本上集中在⒊/Si()2界面⒊02一側(cè),這正是固定氧化物電荷分布的區(qū)域。界面附近高密度的氯離子填補(bǔ)了氧空位,從而降低了SI/sio2系統(tǒng)中的固定氧化物電荷密度及界面附近電荷密度。氯在氧化膜中的行為是比較復(fù)雜的,從實(shí)驗(yàn)觀察分析認(rèn)為有以下幾種情況:①氯是負(fù)離子,在氧化膜中集中必然造成負(fù)電荷中心,它與正電荷的離子起中和作用;②它能在氧化膜中形成某些陷阱態(tài)來(lái)俘獲可動(dòng)離子;③堿金屬離子和重金屬離子能與氯形成蒸氣壓高的氯化物而被除去;④在氧化膜中填補(bǔ)氧空位,與硅形成⒏―Cl鍵或s―O―C1復(fù)合體。所有這些都會(huì)對(duì)氧化膜及其下面的硅的性質(zhì)有顯著的影響。