在集成電路制造過(guò)程中,擴(kuò)散的目的就是向晶體中摻人一定數(shù)量的某種雜質(zhì),并旦希望摻入的雜質(zhì)按要求分布。 MAX7312ATG+T 由于擴(kuò)散模型本身做F理想化的假設(shè),并且忽略了實(shí)際擴(kuò)散過(guò)程中所出現(xiàn)的各種效應(yīng)。所以,實(shí)際分布常常偏離理論分布。原因如下:擴(kuò)散系數(shù)在某些場(chǎng)合不是常數(shù);實(shí)際擴(kuò)散過(guò)程中存在橫向效應(yīng);硅襯底的晶向、晶格完整性等都對(duì)擴(kuò)散速率、雜質(zhì)分布有影響。

    實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)硅中摻雜原子的擴(kuò)散,除了與空位有關(guān)外,還與硅中其他類(lèi)型的點(diǎn)缺陷有著密切的關(guān)系。實(shí)際上,固溶體中溶質(zhì)原子的擴(kuò)散系數(shù)D是隨濃度變化的,而且還受到其他效應(yīng)的影響,造成與菲克定律所計(jì)算的理論結(jié)果存在偏差。有兩個(gè)主要效應(yīng)為菲克定律所不能解釋:①氧化增強(qiáng)擴(kuò)散;

    發(fā)射區(qū)推進(jìn)效應(yīng)。其他還有橫向擴(kuò)散效應(yīng)、場(chǎng)助擴(kuò)散效應(yīng)等。本節(jié)基于硅中存在的其他類(lèi)型點(diǎn)缺陷對(duì)雜質(zhì)擴(kuò)散的影響討論這些效應(yīng)。