在這三個參數(shù)中,結(jié)深和方塊電阻能方便地測得,而表面濃度的直接測量比較困難,必須采用放射性示蹤技術(shù)或其他較麻煩的手段。因此,在生產(chǎn)中,常由測量R□和trl來了解擴(kuò)散層的雜質(zhì)分布,并通過調(diào)節(jié)擴(kuò)散條件來控制R□和.rl的大小,從而達(dá)到控制擴(kuò)散雜質(zhì)分布的目的。 R459.125UR而在產(chǎn)品設(shè)計(jì)或分析中需要知道表面濃度Cs的具體數(shù)值時,可通過已知的凸和與:的關(guān)系(B=寺窀》先求出平均電導(dǎo)率然后通過查圖表的方法求得。

   表面濃度的大小一般由擴(kuò)散形式、擴(kuò)散雜質(zhì)源、擴(kuò)散溫度和時間所決定。但對于恒定表面源擴(kuò)散,表面濃度的數(shù)值基本上就是擴(kuò)散溫度下雜質(zhì)在硅中的固溶度。也就是說,對于給定雜質(zhì)源的情況,表面濃度(Cs)由擴(kuò)散溫度控制。對限定表面源擴(kuò)散(如兩步擴(kuò)散中的再分布),表面濃度則由預(yù)淀積的雜質(zhì)總量和擴(kuò)散時的溫度和時間所決定。但擴(kuò)散溫度和時間由結(jié)深的要求所決定,所以此時的表面濃度(Cs1)主要由預(yù)淀積的雜質(zhì)總量來控制。在結(jié)深相同的情況下,預(yù)淀積的雜質(zhì)總量越多,再分布后的表面濃度就越大。但基區(qū)硼再分布和發(fā)射區(qū)磷再分布(再擴(kuò)散),囚擴(kuò)散與氧化同時進(jìn)行,有一部分雜質(zhì)Q要積聚到所生長的⒊o層中,再分布后擴(kuò)散層的雜質(zhì)總量Ql等于預(yù)淀積雜質(zhì)總量Q與Q2之差。因此影響再分布后表面濃度(Cs2)的因素,還有積聚到⒊02層中的雜質(zhì)Q~。所以,在實(shí)際生產(chǎn)中,發(fā)現(xiàn)基區(qū)硼預(yù)淀積雜質(zhì)總量Q太大(也即R二偏低)日寸,在再分布時應(yīng)縮短第一次通干氧的時間(即濕氧時間提前),造成較多的雜質(zhì)聚集到⒊02層中,使再分布后基區(qū)的表面濃度Q符合原定的要求。

   在晶體管的設(shè)計(jì)和擴(kuò)散層的分析中,常要用到次表面薄層的概念。次表面薄層就是指擴(kuò)散表面之下,自某個深度J的平面到pn結(jié)位置之間的一個薄層。例如,擴(kuò)散型晶體管的基區(qū)就屬于這種情況,如圖522所示是基區(qū)薄層電阻Rab與擴(kuò)散層薄層電阻R′汕示意圖。在曲e處的雜質(zhì)濃度就稱為次表面濃度。