與注入離子劑量率之間的關(guān)系

   劑量率是指單位時(shí)間,通過(guò)單位面積注人的離子數(shù)。注人劑量一定時(shí),M65831AP劑量率越大,注入時(shí)間就越短。一般來(lái)說(shuō),隨著劑量率的增加,形成非晶層所需要的臨界劑量將減小。

   與晶體取向的關(guān)系

   離子是沿靶材料的某一晶向人射,還是隨機(jī)入射,對(duì)于形成非晶層所需要的臨界劑量是不相同的。實(shí)驗(yàn)證明,在一定條件下,沿某一晶向人射形成非晶層所需要的臨界劑量高于隨機(jī)入射。

   與注入速率的關(guān)系

   注人速率一般以單位面積內(nèi)注人的電流來(lái)度量,單位為uA/c耐,也顯著地影響非晶層的形成。注人速率增加時(shí)缺陷的產(chǎn)生率增加,有利于非晶層的形成,故臨界劑量隨之降低。