忽略溝道效應(yīng)、復(fù)位碰撞M64884FP中缺陷消失以及入射離子與電子的相互作用,那么損傷程度可以用入射離子所產(chǎn)生的移位原子數(shù)目來估計(jì)。在這種情況下,一個(gè)能量為風(fēng)的人射離子,在碰撞時(shí)傳遞給受碰粒子的能量可以從零到最大值El。對于產(chǎn)生的第一個(gè)移位原子來說,由于碰撞情況是多種多樣的,在大量人射離子的情況下,各個(gè)人射離子傳遞給受碰粒子的能量也有大有小,可以是從凡到Ec的所有可能值。因此,入射離子在撞出第一個(gè)移位原子后,其能量/可取中的所有可能值。同樣,由入射離子產(chǎn)生的第一個(gè)移位原子所具有的能量/也可取中的所有值。它們也能產(chǎn)生新一代的移位原子。如果分別對它們所能產(chǎn)生的移位原子數(shù)求平均,并注意到人射離子產(chǎn)生的移位原子總數(shù)的平均值就等于它們之和,在凡的值為幾十個(gè)電子伏(原子激活能見表62),遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于人射離子能量E)的情況下,v(ε)為一個(gè)能量為風(fēng)的離子可以產(chǎn)生的移位原子總數(shù)的平均值。

   但此式只適用于人射離子能量風(fēng)小于臨界能量Ec的情形,即核阻止作用為主的情形。在計(jì)算時(shí),Ea常取低于表62所示值。這是因?yàn)樵诋a(chǎn)生損傷區(qū)時(shí),移位原子密度很高,產(chǎn)生一個(gè)移位原子時(shí),對硅來說平均不需要切斷4個(gè)鍵。