人射離子注人靶時,在其所經(jīng)過的路徑附近區(qū)域?qū)a(chǎn)生許多空位、間隙原子和其他形式的晶格畸變。M65840FP由于離子注入形成損傷區(qū)和畸變團(tuán)直接影響半導(dǎo)體材料和微電子產(chǎn)品的特性:增加了散射中心,使載流子遷移率下降;增加了缺陷數(shù)目,使少數(shù)載流子壽命下降和pn結(jié)反向漏電流增大等。此外,大部分注入的離子不是以替位形式處在晶格點陣位置上,而是處于間隙位置,無電活惟,一般不能供

導(dǎo)電性能。因此,從產(chǎn)品應(yīng)用方面考慮,為了激活注入的離子,恢遷移率及其他材料參數(shù),必須在適當(dāng)?shù)臏囟群蜁r問下對半導(dǎo)體進(jìn)行退火,以使雜質(zhì)原子處于晶體點陣位置,即替位式狀態(tài),成為受主或施主中心,以實現(xiàn)雜質(zhì)的電激活。

   退火(Anneal),就是利用熱能(Thcrmal Energy)將離子注人后的樣品進(jìn)行熱處理,以消除輻射損傷,激活注人雜質(zhì),恢復(fù)晶體的電性能。具體△藝上就是注人離子的晶體在某一高溫下保持一段時間,使雜質(zhì)通過擴(kuò)散進(jìn)人替位位置,成為電活性雜質(zhì),并使晶體損傷區(qū)“外延生長”為晶體,恢復(fù)或部分恢復(fù)遷移率與少子壽命。退火工藝可以實現(xiàn)兩個日的:一是減少點缺陷密度,囚為問隙原子可以進(jìn)入某些空位;二是在間隙位置的注入雜質(zhì)原子能移動到晶格位置,變成電激活雜質(zhì)。