在Ⅱ區(qū)內(nèi),當(dāng)退火溫度在500~600℃的范圍內(nèi)時(shí),點(diǎn)缺陷通過(guò)重新組合或結(jié)團(tuán),凝聚為位錯(cuò)環(huán)一類較大尺寸的缺陷團(tuán)(二次缺陷),降低其能量。M74HC14RM13TR因?yàn)榕鹪臃浅Ｐ〔⒑腿毕輬F(tuán)有很強(qiáng)的作用,很容易遷移或結(jié)合到缺陷團(tuán)中,處于非激活位置,因而出現(xiàn)隨溫度的升高而替位硼的濃度下降的現(xiàn)象,也就是自由載流子濃度隨溫度上升而下降的現(xiàn)象。在600℃附近替位硼濃度降到一個(gè)最低值。與500℃情況相比,在區(qū)域Ⅱ600℃它的最后狀態(tài)是少量替代位硼原子和大量沒(méi)有規(guī)定晶格位置的非替代位硼原子。囚此硼可能淀積在位錯(cuò)處或靠近位錯(cuò)處。

   在Ⅲ區(qū)中,替代位硼濃度以接近5,0eV激活能隨溫度上升而增加,此能量相當(dāng)于在升高溫度時(shí)s的自空位的產(chǎn)生和移位能�？瘴划a(chǎn)生后移向非替代位硼即間隙硼處,使硼從非替代位淀積處離解出來(lái),進(jìn)人空位而處于替代位置,所以硼的電激活比例也隨溫度上升而增加。對(duì)于沒(méi)有逆退火出現(xiàn)的低劑量硼注入情況,無(wú)須熱產(chǎn)生空位就可發(fā)生替代行為。在接近10記olls/cm2劑量只需在800℃幾分鐘時(shí)間就完全退火。如果在室溫下注入高劑量的硼,需要在更高的溫度下退火才能得到理想的結(jié)果。只有劑量高于5×101G lo¨/cm2的室溫硼注入,才形成無(wú)定形層。但是如果降低靶溫,則可以獲得無(wú)定形的劑量約為10Ⅱ ons/c�？梢钥吹�,即使硼劑量達(dá)到2×10・ons/cll・・,硅襯底仍然是晶體。當(dāng)硼的劑量大于10炻ons/c耐時(shí),硅表面層變成非晶態(tài),非晶層下的單晶半導(dǎo)體起著非晶層再結(jié)晶的籽晶作用。沿〈100〉晶向外延生長(zhǎng)速率在550℃時(shí)為100Ⅳ儷n,600℃時(shí)為500A/nlln,激活能為2.座eV9因此,100O~5000A的非晶層可在幾分鐘內(nèi)完成再結(jié)晶。