薄膜厚度均勻性主要是由薄膜淀積速率的均勻性決定的。薄膜淀積速率主要由襯底△藝溫度和反應劑濃度決定。 OPA124U反應室內(nèi)各襯底之間,以及同一襯底不同位置的溫度應該均勻一致。而薄膜淀積過程中各反應劑都是通過氣相質(zhì)量輸運到達襯底表面的,所以,只有氣流成分均勻,流動狀態(tài)為穩(wěn)定的層流,才能保證襯底表面各反應劑濃度的均勻。而氣流成分和流動狀態(tài)與淀積設備反應器的結(jié)構(gòu)、進氣方式、氣流速度和氣壓等有關(guān)。

   近年來,隨著CVD技術(shù)、設各的發(fā)展及進步,反應器結(jié)構(gòu)和進氣方式設計得更加合理,在薄膜淀積過程中通過工藝控制可以將氣流速率和壓力維持在合理范圍內(nèi),這在3.2節(jié)氣相外延原理中已做了詳細介紹。

   薄膜的附著性

   在淀積薄膜制備工藝中C`①相對于后面第8章物理氣相淀積而言,薄膜附著性好,與襯底結(jié)合得更加牢固。這是因為化學氣相淀積工藝制各的薄膜物的分子(或原子)是通過化學反應在襯底表面生成的,自身能量較高,可以遷移到合適位置,與襯底分子(或原子)會形成化學鍵(或化學吸附)來降低系統(tǒng)自由能,所以薄膜與襯底之間的結(jié)合牢固。另外,升高襯底溫度能提高所淀積薄膜與襯底之間的結(jié)合力,溫度越高薄膜分子(或原子)與襯底分子(或原子)形成的化學鍵越多,兩者之間結(jié)合得就越牢固。