低壓化學(xué)氣相淀積(Low Pre~smre CX/△D,LPCⅥD是在APCVD之后出現(xiàn)的又一種以熱激活方式淀積薄膜的C、0工藝方法。通常LPCVD的反應(yīng)室氣壓在1~100h之間調(diào)節(jié),主要用于淀積介質(zhì)OPA134UA薄膜。LPCX/D設(shè)各也有多種結(jié)構(gòu)類型,圖⒎11所示是兩類常用LPCVD設(shè)備示意圖。圖⒎12所示

     LPCVD水平式反應(yīng)器如圖⒎11(a)所示,它與APCVD的不同之處除了增加了真空系統(tǒng)以外,還使用普通的電阻加熱方式,襯底硅片垂直放置在熱壁式反應(yīng)器(即爐管)內(nèi),這些都和普通擴散爐一樣。水平式LPCVD與APCVD相比具有以下優(yōu)點:襯底的裝載量大大增加,可達幾百個硅片,更適合大批量生產(chǎn);氣體的用量大為減少,節(jié)約了源材料;使用結(jié)構(gòu)簡單功耗低的電阻加熱器,降低了生產(chǎn)成本。囚此,水平式LPCVD更適合作為批量化生產(chǎn)的標準工藝,目前已基本替代退℃VD被廣泛用于介質(zhì)薄膜的制各。

   在圖⒎11(b)所示的立式反應(yīng)器中,反應(yīng)劑氣體由噴頭進人反應(yīng)室,直接擴散到硅片表面。新型的LPCVD設(shè)備多是采用立式反應(yīng)器結(jié)構(gòu),一方面硅片是水平擺放在石英支架上,利于批量生產(chǎn)中機械手裝卸硅片;另一方面更利于氣流的均勻流動使反應(yīng)劑擴散到達襯底硅片表面,淀積的介質(zhì)薄膜的均勻性好于水平式LPCVD。