LPCVD的工藝溫度通常是控制在表面反應(yīng)限制區(qū)。囚此,薄膜淀積速率對溫度非常敏感,OPA171AIDBVT而對反應(yīng)劑濃度的均勻性要求不高。這也是因為熱壁式反應(yīng)器I作在低壓時氣壓易于波動,且襯底密集擺放使得片內(nèi)反應(yīng)劑濃度的均勻性降低,相對而言更易于控制溫度精度的緣故。電阻加熱器的控溫精度一般在±0.5℃,高精密的可達±0.1℃,這完全能滿足LPCVD對溫度的精確控制。盡管LPCVD是將工藝溫度控制在表面反應(yīng)限制區(qū),對反應(yīng)劑濃度的均勻性要求不是非常嚴(yán)格,但如果氣體是從反應(yīng)器一端進人另一端被排出E如圖⒎11(a)水平式反應(yīng)器所示彐,隨著反應(yīng)劑的消耗,沿著氣流方向反應(yīng)劑濃度將逐漸降低,因此襯底硅片上淀積的薄膜厚度也沿氣流方向變薄,這種現(xiàn)象被稱為氣缺效應(yīng)。氣缺效應(yīng)可通過沿氣流方向提高工藝溫度來消除,即控制加熱器沿著氣流方向溫度逐步提高。這就如同川℃VD的基座是沿著氣流方向有一傾角一樣。氣缺效應(yīng)還可通過合理設(shè)計分布式氣體人口方法來解決,這需要特殊設(shè)計的反應(yīng)器,并限制注入氣體所產(chǎn)生的氣流交叉效應(yīng)。另外,增加氣體流速,氣體人口前端所消耗的反應(yīng)劑絕對量不變,但比例卻降低了,更多的反應(yīng)劑氣體能夠輸運到下游,在各個襯底硅片上所淀積的薄膜厚度也就相對均勻了。即通過提高反應(yīng)室的氣體流速也能解決氣缺效應(yīng)帶來的問題。

   影響LPCVD薄膜質(zhì)量和淀積速率的因素主要有溫度、△作氣體總壓、各種反應(yīng)劑的分壓、氣流均勻性及氣流速度。另外,工藝衛(wèi)生對薄膜質(zhì)量也有很大影響.如果薄膜淀積之前反應(yīng)室顆粒物清理不徹底或襯底清洗不徹底,就無法獲得高質(zhì)量的淀積薄膜。